(1).jpg)
Постановление Правительства РФ от 19 августа 2014 г. № 829 “О внесении изменений в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы”
Правительство Российской Федерации постановляет:
Утвердить прилагаемые изменения, которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы, утвержденную постановлением Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. № 809 "О федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2007, № 51, ст. 6361; 2009, № 9, ст. 1130; 2011, № 38, ст. 5383; 2013, № 18, ст. 2266; 2014, № 5, ст. 503).
|
Председатель Правительства Российской Федерации |
Д. Медведев |
Изменения, которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы
(утв. постановлением Правительства РФ от 19 августа 2014 г. № 829)
1. В паспорте Программы:
а) в абзаце пятом позиции, касающейся важнейших целевых индикатора и показателей, цифры "62" заменить цифрами "56", цифры "112" заменить цифрами "110", слово "реструктуризация" заменить словом "реконструкция";
б) в позиции, касающейся объемов и источников финансирования Программы:
в абзаце первом цифры "175600,705" заменить цифрами "172103,3593";
в абзаце втором цифры "104656,296" заменить цифрами "102752,5207", цифры "62686,506" заменить цифрами "61861,2257", цифры "41969,79" заменить цифрами "40891,295";
в абзаце третьем цифры "70944,409" заменить цифрами "69350,8386";
в) в абзаце двенадцатом позиции, касающейся ожидаемых конечных результатов реализации Программы и показателей социально-экономической эффективности, цифры "125754,3" заменить цифрами "126802,6".
2. В абзаце четвертом подраздела, касающегося целевых индикатора и показателей реализации Программы, раздела II:
а) в предложении третьем цифры "96" заменить цифрами "93";
б) предложение пятое изложить в следующей редакции: "Также к 2015 году в 13 организациях Министерства образования и науки Российской Федерации, Федерального космического агентства и Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом", производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса, будут созданы центры проектирования, а в 15 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение.".
3. В разделе IV:
а) в абзаце первом цифры "175600,705" заменить цифрами "172103,3593";
б) в абзаце втором цифры "104656,296" заменить цифрами "102752,5207";
в) в абзаце третьем цифры "62686,506" заменить цифрами "61861,2257";
г) в абзаце четвертом цифры "41969,79" заменить цифрами "40891,295";
д) в абзаце пятом цифры "70944,409" заменить цифрами "69350,8386";
е) в абзаце седьмом цифры "32215,149" заменить цифрами "31856,5436".
4. В разделе VI:
а) в абзаце шестом цифры "66746,5" заменить цифрами "68686,2";
б) в абзаце седьмом цифры "125754,3" заменить цифрами "126802,6";
в) в абзаце девятом цифры "1,57" заменить цифрами "1,6".
5. Приложения № 1 - 4 к указанной Программе изложить в следующей редакции:
"Приложение № 1
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной базы
и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы
(в редакции постановления Правительства РФ
от 19 августа 2014 г. № 829)
Индикатор и показатели
реализации мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы
| Единица измерения | 2007 год | 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Индикатор | ||||||||||
| Достигаемый технологический уровень электроники | мкм | 0,18 | 0,18 | 0,13 | 0,13 | 0,09 | 0,09 | 0,09 | 0,09 | 0,045 |
| Показатели | ||||||||||
| Увеличение объемов продаж изделий электронной и радиоэлектронной техники | млрд. рублей | 19 | 58 | 70 | 95 | 130 | 170 | 210 | 250 | 300 |
| Количество разработанных базовых технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники (нарастающим итогом) | - | 3 - 5 | 16 - 20 | 80 - 90 | 125 - 135 | 179 - 185 | 210 | 230 | 250 | 260 - 270 |
| Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом) | - | 1 | 8 | 10 | 14 | 29 | 29 | 30 | 35 | 43 |
| Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом", производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) | - | - | - | - | - | 1 | 1 | 1 | 3 | 4 |
| Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) | - | - | - | - | - | - | 1 | 2 | 3 | 5 |
| Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минобрнауки России, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) | - | - | 1 | 1 | 2 | 2 | 3 | 4 | 4 | 4 |
| Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом) | - | - | 1 | 5 | 8 | 18 | 22 | 32 | 39 | 95 |
| Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях ФСТЭК России (нарастающим итогом) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 |
| Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом", производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) | - | - | - | - | - | - | - | 1 | 1 | 8 |
| Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 6 |
| Количество завершенных поисковых технологических научно-исследовательских работ (нарастающим итогом) | - | 1 | 3 | 9 | 9 - 10 | 10 - 12 | 12 - 14 | 14 - 16 | 16 - 18 | 20 - 22 |
| Количество реализованных мероприятий по созданию электронной компонентной базы, соответствующей мировому уровню (типов, классов новой электронной компонентной базы) (нарастающим итогом) | - | 4 | 11 - 12 | 16 - 20 | 22 - 25 | 36 - 40 | 41 - 45 | 45 - 50 | 50 - 55 | 55 - 60 |
| Количество создаваемых рабочих мест (нарастающим итогом) | - | 450 | 1020 - 1050 | 1800 - 2200 | 3000 - 3800 | 3800 - 4100 | 4100 - 4400 | 4400 - 4700 | 4700 - 5000 | 5000 - 6000 |
Приложение № 2
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной базы
и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы
(в редакции постановления Правительства РФ
от 19 августа 2014 г. № 829)
Перечень
мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы
| (млн. рублей, в ценах соответствующих лет) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2008 - 2015 годы - всего | В том числе | Ожидаемые результаты | |||||||||
| 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год | ||||
| I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы | |||||||||||
| Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника | |||||||||||
| 1. | Разработка технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы * | * | * | * | создание базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы * для бортовой и наземной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | ||||||
| 2. | Разработка базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона | * | * | * | * | * | * | создание базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона на основе гетероструктур материалов группы А3В5 для бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | |||
| 3. | Разработка базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов на основе нитридных гетеро-эпитаксиальных структур | * | * | * | создание технологии производства мощных транзисторов сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для техники связи, радиолокации (2009 год) | ||||||
| 4. | Разработка базовой технологии и библиотеки элементов для проектирования и производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур | * | * | * | * | * | * | создание технологии производства на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур мощных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с рабочими частотами до 20 ГГц для техники связи, радиолокации (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | |||
| 5. | Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных компонентов и сложно-функциональных блоков для сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий" | * | * | * | создание базовой технологии производства компонентов для сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | ||||||
| 6. | Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий" | * | * | * | * | создание базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | |||||
| 7. | Разработка аттестованных библиотек сложно-функциональных блоков для проектирования сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе гетероструктур "кремний - германий" | * | * | * | разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | ||||||
| 8. | Разработка базовых технологий проектирования кремний-германиевых сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе аттестованной библиотеки сложно-функциональных блоков | * | * | * | * | * | * | создание базовых технологий проектирования на основе аттестованной библиотеки сложнофункциональных блоков широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | |||
| 9. | Разработка базовых технологий производства элементной базы для ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры | * | * | * | создание базовых технологий производства элементной базы для высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | ||||||
| 10. | Разработка базовых технологий производства ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры | * | * | * | создание базовых конструкций и технологии производства высокоэффективных, высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | ||||||
| 11. | Разработка базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысоко-частотных транзисторов X- , C-, S-, L- и P-диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью | * | * | * | создание технологии массового производства ряда корпусов мощных сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой" сборки (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | ||||||
| 12. | Разработка базовых конструкций теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х- и С-диапазонов на основе новых материалов | * | * | * | * | создание базовых конструктивных рядов элементов систем охлаждения аппаратуры Х- и С-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов | |||||
| 13. | Разработка базовой технологии производства теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х- и С-диапазонов на основе новых материалов | * | * | * | создание технологии массового производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения аппаратуры Х- и С-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | ||||||
| 14. | Разработка базовых технологий производства суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов | * | * | создание технологии массового производства конструктивного ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | |||||||
| 15. | Разработка конструктивно-параметрического ряда суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов | * | * | * | создание конструктивно-параметрического ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L- диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | ||||||
| 16. | Разработка технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и P-диапазонов для их массового производства | * | * | * | разработка метрологической аппаратуры нового поколения для исследования и контроля параметров полупроводниковых структур, активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем в производстве и при их использовании | ||||||
| 17. | Исследование и разработка базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения | * | * | * | создание технологии унифицированных сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | ||||||
| 18. | Разработка базовых конструкций и технологии производства нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения | * | * | * | разработка конструктивных рядов и базовых технологий производства сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | ||||||
| 19. | Исследование и разработка процессов и базовых технологий нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа и сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми дефектами | * | * | * | создание технологических процессов производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2008 год), создание базовой технологии получения сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми эффектами (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | ||||||
| 20. | Разработка базовых конструкций и технологии производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа | * | * | * | создание конструктивных рядов и базовых технологий производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | ||||||
| 21. | Разработка базовой технологии сверхвысокочастотных p-i-n диодов, матриц, узлов управления и портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнито-электронных твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования | * | * | * | создание базовой технологии производства элементов и специальных элементов и блоков портативной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения средств связи, радиолокационных станций, радионавигации, измерительной техники, автомобильных радаров, охранных и сигнальных устройств (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | ||||||
| 22. | Разработка базовых технологий создания мощных вакуумных сверхвысокочастотных устройств | * | * | * | * | * | * | * | * | * | создание конструктивных рядов и базовых технологий проектирования и производства мощных и сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов для аппаратуры широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год), мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год), малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год) |
| 23. | Разработка базовых технологий создания мощных твердотельных сверхвысокочастотных устройств на базе нитрида галлия | * | * | * | * | * | * | * | * | * | создание базовых конструкций и технологий изготовления сверхвысокочастотных мощных приборов на структурах с использованием нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая создание гетеропереходных полевых транзисторов с барьером Шоттки с удельной мощностью до 3 - 4 Вт/мм и рабочими напряжениями до 30 В, исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высокоомных подложках (2013 год), разработку технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год) |
| 24. | Исследование перспективных типов сверхвысокочастотных приборов и структур, разработка технологических принципов их изготовления | * | * | * | * | * | * | исследование технологических принципов формирования перспективных сверхвысокочастотных приборов и структур, включая создание наногетероструктур, использование комбинированных (электронных и оптических методов передачи и преобразования сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц | |||
| 25. | Разработка перспективных методов проектирования и моделирования сложнофункциональной сверхвысокочастотной электронной компонентной базы | * | * | * | * | * | * | создание полного состава прикладных программ проектирования и оптимизации сверхвысокочастотной электронной компонентной базы, включая проектирование активных приборов, полосковых линий передачи, согласующих компонентов, формируемых в едином технологическом процессе | |||
| Всего по направлению 1 | * | * | * | * | * | * | * | * | * | ||
| Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база | |||||||||||
| 26. | Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм | * | * | * | создание технологии изготовления микросхем на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2009 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника) | ||||||
| 27. | Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм | * | * | * | * | * | создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2013 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высокоинтегрированной радиационно стойкой элементной базы | ||||
| 28. | Разработка технологии проектирования и конструктивно-технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложно-функциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм | * | * | * | создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,25 мкм (2009 год) | ||||||
| 29. | Разработка технологии проектирования и конструктивно-технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм | * | * | * | * | * | создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,18 мкм | ||||
| 30. | Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,35 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы | * | * | * | создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,35 мкм и базовой технологии создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2009 год) | ||||||
| 31. | Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,18 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы | * | * | * | * | * | создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,18 мкм (2010 год) и создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2013 год) | ||||
| 32. | Разработка технологии "кремний на сапфире" изготовления ряда лицензионно-независимых радиационно стойких комплементарных полевых полупроводниковых сверхбольших интегральных схем цифровых процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и схем интерфейса | * | * | * | разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микро-контроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения | ||||||
| 33. | Разработка технологии структур с ультратонким слоем кремния на сапфире | * | * | * | * | * | создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2013 год) | ||||
| 34. | Разработка базовой технологии и приборно-технологического базиса производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", радиационно стойкой силовой электроники для аппаратуры питания и управления | * | * | * | разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А (2009 год) | ||||||
| 35. | Разработка элементной базы радиационно стойких интегральных схем на основе полевых эмиссионных микронанотриодов | * | * | * | создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования | ||||||
| 36. | Создание информационной базы радиационно стойкой электронной компонентной базы, содержащей модели интегральных компонентов, функционирующих в условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы | * | * | * | * | * | разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний | ||||
| 37. | Разработка библиотек стандартных элементов и сложнофункциональных блоков для создания радиационно стойких сверхбольших интегральных схем | * | * | * | * | * | * | создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2012 год, 2015 год) | |||
| 38. | Разработка расширенного ряда радиационно стойких сверхбольших интегральных схем для специальной аппаратуры связи, обработки и передачи информации, систем управления | * | * | * | * | * | * | разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микро-контроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения, разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования | |||
| 39. | Разработка и совершенствование методов моделирования и проектирования радиационно стойкой элементной базы | * | * | * | * | * | * | разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний | |||
| 40. | Разработка и совершенствование базовых технологий и конструкций радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на структурах "кремний на сапфире" и "кремний на изоляторе" с топологическими нормами не менее 0,18 мкм | * | * | * | * | * | * | создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на сапфире" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2014 год), создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год) | |||
| Всего по направлению 2 | * | * | * | * | * | * | * | * | * | ||
| Направление 3. Микросистемная техника | |||||||||||
| 41. | Разработка базовых технологий микро-электромеханических систем | * | * | * | создание базовых технологий (2009 год) и комплектов технологической документации на изготовление микро-электро-механических систем контроля давления, микро-акселерометров с чувствительностью по 2 и 3 осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов | ||||||
| 42. | Разработка базовых конструкций микро-электро-механических систем | * | * | * | * | * | * | разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление чувствительных элементов и микросистем контроля давления, микро-акселерометров, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно-энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике | |||
| 43. | Разработка базовых технологий микроакустоэлектромеханических систем | * | * | * | * | создание базовых технологий (2009 год) и комплектов необходимой технологической документации на изготовление микроакустоэлектромеханических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно-акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники | |||||
| 44. | Разработка базовых конструкций микроакустоэлектромеханических систем | * | * | * | * | * | разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление пассивных датчиков физических величин микро-акселерометров, микрогироскопов на поверхностных акустических волнах, датчиков давления и температуры, датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений, резонаторов | ||||
| 45. | Разработка базовых технологий микроаналитических систем | * | * | создание базовых технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов | |||||||
| 46. | Разработка базовых конструкций микроаналитических систем | * | * | * | * | создание базовых конструкций микроаналитических систем, предназначенных для аппаратуры жилищно-коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники, разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах | |||||
| 47. | Разработка базовых технологий микрооптоэлектромеханических систем | * | * | * | создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал, микропереключателей и фазовращателей (2009 год) | ||||||
| 48. | Разработка базовых конструкций микрооптоэлектромеханических систем | * | * | * | * | разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения | |||||
| 49. | Разработка базовых технологий микросистем анализа магнитных полей | * | * | создание базовых технологий изготовления микросистем анализа магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур (2008 год) | |||||||
| 50. | Разработка базовых конструкций микросистем анализа магнитных полей | * | * | * | * | разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на магниточувствительные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях | |||||
| 51. | Разработка базовых технологий радиочастотных микроэлектромеханических систем | * | * | * | разработка и освоение в производстве базовых технологий изготовления радиочастотных микроэлектромеханических систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели (2009 год) | ||||||
| 52. | Разработка базовых конструкций радиочастотных микроэлектромеханических систем | * | * | * | * | разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление радиочастотных микроэлектромеханических систем - компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий | |||||
| 53. | Разработка методов и средств обеспечения создания и производства изделий микросистемной техники | * | * | создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии | |||||||
| 54. | Разработка перспективных технологий и конструкций микрооптоэлектромеханических систем для оптической аппаратуры, систем отображения изображений, научных исследований и специальной техники | * | * | * | * | * | создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения (2012 год), акустооптических перестраиваемых фильтров (2012 год), двухмерных управляемых матриц микрозеркал, микропереключателей и фазовращателей (2013 год), разработка базовых технологий, конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации оптического излучения (2015 год) | ||||
| 55. | Разработка и совершенствование методов и средств контроля, испытаний и аттестации изделий микросистемотехники | * | * | * | * | * | * | создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники | |||
| 56. | Разработка перспективных технологий и конструкций микро-аналитических систем для аппаратуры контроля и обнаружения токсичных, горючих, взрывчатых и наркотических веществ | * | * | * | * | * | создание перспективных технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства (2012 год, 2013 год, 2014 год) | ||||
| Всего по направлению 3 | * | * | * | * | * | * | * | * | * | ||
| Направление 4. Микроэлектроника | |||||||||||
| 57. | Разработка технологии и развитие методологии проектирования изделий микроэлектроники: разработка и освоение современной технологии проектирования универсальных микропроцессоров, процессоров обработки сигналов, микро-контроллеров и "системы на кристалле" на основе каталогизированных сложнофункциональных блоков и библиотечных элементов, в том числе создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования, освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий в целях размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм | * | * | * | разработка комплекта нормативно-технической документации по проектированию изделий микроэлектроники, создание отраслевой базы данных с каталогами библиотечных элементов и сложнофункциональных блоков с каталогизированными результатами аттестации на физическом уровне, разработка комплекта нормативно-технической и технологической документации по взаимодействию центров проектирования в сетевом режиме | ||||||
| 58. | Разработка и освоение базовой технологии производства фотошаблонов с технологическим уровнем до 0,13 мкм в целях обеспечения информационной защиты проектов изделий микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного) | * | * | * | разработка комплекта технологической документации и организационно-распорядительной документации по взаимодействию центров проектирования и центра изготовления фотошаблонов | ||||||
| 59. | Разработка семейств и серий изделий микроэлектроники: универсальных микропроцессоров для встроенных применений, универсальных микропроцессоров для серверов и рабочих станций, цифровых процессоров обработки сигналов, сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем, сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти, микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью, схем интерфейса дискретного ввода - вывода, схем аналогового интерфейса, цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8-12 бит, схем приемо-передатчиков шинных интерфейсов, изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения, встроенных интегральных источников питания | * | * | * | разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства | ||||||
| 60. | Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 14 - 16 бит, микроэлектронных устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров, сенсоров на основе магнито-электрических и пьезоматериалов, встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10 - 12 ГГц, систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов | * | * | * | * | разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства | |||||
| 61. | Разработка технологии и освоение производства изделий микроэлектроники с технологическим уровнем 0,13 мкм | * | * | * | разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической документации и ввод в эксплуатацию производственной линии | ||||||
| 62. | Разработка базовой технологии формирования многослойной разводки (7 - 8 уровней) сверхбольших интегральных схем на основе Al и Cu | * | * | * | * | * | разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | ||||
| 63. | Разработка технологии и организация производства многокристальных микроэлектронных модулей для мобильных применений с использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей | * | * | * | * | разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии | |||||
| 64. | Разработка новых методов технологических испытаний изделий микроэлектроники, гарантирующих их повышенную надежность в процессе долговременной (более 100000 часов) эксплуатации, на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов | * | * | * | разработка технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию специализированных участков | ||||||
| 65. | Разработка современных методов анализа отказов изделий микроэлектроники с применением ультраразрешающих методов (ультразвуковая гигагерцовая микроскопия, сканирование синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно- и ионно-лучевое зондирование и др.) | * | * | * | разработка комплектов документации, включая утвержденные отраслевые методики, ввод в эксплуатацию модернизированных участков и лабораторий анализа отказов | ||||||
| 66. | Разработка базовых субмикронных технологий уровней 0,065 - 0,045 мкм | * | * | * | * | * | создание технологии сверхбольших интегральных схем, создание базовой технологии формирования многослойной разводки сверхбольших интегральных схем топологического уровня 0,065 - 0,045 мкм (2015 год), освоение и развитие технологии проектирования и изготовления для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий, а также в целях размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,045 мкм, разработка комплекта технологической документации и организационно-распорядительной документации по взаимодействию центров | ||||
| 67. | Исследование технологических процессов и структур для субмикронных технологий уровней 0,032 мкм | * | * | * | * | * | создание технологии сверхбольших интегральных схем технологических уровней 65 - 45 нм, организация опытного производства и исследование технологических уровней 0,032 мкм (2015 год) | ||||
| 68. | Разработка перспективных технологий и конструкций изделий интеллектуальной силовой электроники для применения в аппаратуре бытового и промышленного применения, на транспорте, в топливно-энергетическом комплексе и в специальных системах | * | * | * | * | * | * | создание технологий и конструкций перспективных изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения, создание встроенных интегральных источников питания (2013 - 2015 годы) | |||
| 69. | Разработка перспективных технологий сборки сверхбольших интегральных схем в многовыводные корпуса, в том числе корпуса с матричным расположением выводов, и технологий многокристальной сборки, включая создание "систем в корпусе" | * | * | * | * | * | * | разработка перспективной технологии многокристальных микроэлектронных модулей для мобильных применений с использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей (2015 год) | |||
| Всего по направлению 4 | * | * | * | * | * | * | * | * | * | ||
| Направление 5. Электронные материалы и структуры | |||||||||||
| 70. | Разработка технологии производства новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза | * | * | * | внедрение новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза с повышенной теплопроводностью и электропроводностью для создания нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов | ||||||
| 71. | Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений А3В5 для мощных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем | * | * | * | создание технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений А3В5 для обеспечения разработок и изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и мощных транзисторов (2011 год) | ||||||
| 72. | Разработка базовой технологии производства метаморфных структур на основе GaAs и псевдоморфных структур на подложках InP для приборов сверхвысокочастотной электроники диапазона 60 - 90 ГГц | * | * | * | создание базовой технологии производства гетероструктур и псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц (2009 год) | ||||||
| 73. | Разработка технологии производства спинэлектронных магнитных материалов, радиопоглощающих и мелкодисперсных ферритовых материалов для сверхвысокочастотных приборов | * | * | * | * | создание спинэлектронных магнитных материалов и микроволновых структур со спиновым управлением для создания перспективных микроволновых сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродействия и низкого энергопотребления | |||||
| 74. | Разработка технологии производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для обеспечения производства полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе | * | * | * | создание технологии массового производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для выпуска полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе (2009 год) | ||||||
| 75. | Разработка технологии производства поликристаллических алмазов и их пленок для теплопроводных конструкций мощных выходных транзисторов и сверхвысокочастотных приборов | * | * | * | * | создание технологии производства поликристаллических алмазов и их пленок для мощных сверхвысокочастотных приборов (2012 год) | |||||
| 76. | Исследование путей и разработка технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур, а также полупроводниковых нитей с наноразмерами при вытяжке стеклянного капилляра, заполненного жидкой фазой полупроводника | * | * | * | создание технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур для новых классов микроструктурных приборов, магниторезисторов, осцилляторов, устройств оптоэлектроники (2009 год) | ||||||
| 77. | Разработка технологии выращивания слоев пьезокерамики на кремниевых подложках для формирования комплексированных устройств микросистемной техники | * | * | * | * | создание базовой пленочной технологии пьезокерамических элементов, совместимой с комплементарной металлооксидной полупроводниковой технологией для разработки нового класса активных пьезокерамических устройств, интегрированных с микросистемами (2011 год) | |||||
| 78. | Разработка методологии и базовых технологий создания многослойных кремниевых структур с использованием "жертвенных" и "стопорных" диффузионных и диэлектрических слоев для производства силовых приборов и элементов микроэлектромеханических систем | * | * | * | создание технологии травления и изготовления кремниевых трехмерных базовых элементов микроэлектромеханических систем с использованием "жертвенных" и "стопорных" слоев для серийного производства элементов микроэлектромеханических систем (2009 год) кремниевых структур с использованием силикатных стекол, моно-, поликристаллического и пористого кремния и диоксида кремния | ||||||
| 79. | Разработка базовых технологий получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий с широким диапазоном функциональных свойств | * | * | * | создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий, алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высоко-температурных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения (2011 год) | ||||||
| 80. | Исследование и разработка технологии роста эпитаксиальных слоев карбида кремния, структур на основе нитридов, а также формирования изолирующих и коммутирующих слоев в приборах экстремальной электроники | * | * | * | создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов для создания радиационно стойких сверхвысокочастотных и силовых приборов нового поколения (2009 год) | ||||||
| 81. | Разработка технологии производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на ультратонких гетероэпитаксиальных структурах кремния на сапфировой подложке для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения | * | * | * | создание технологии производства структур "кремний на сапфире" диаметром до 150 мм с толщиной приборного слоя до 0,1 мкм и топологическими нормами до 0,18 мкм для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения (2009 год) | ||||||
| 82. | Разработка технологии производства высокоомного радиационно облученного кремния, слитков и пластин кремния диаметром до 150 мм для производства силовых полупроводниковых приборов | * | * | * | создание технологии производства радиационно облученного кремния и пластин кремния до 150 мм для выпуска мощных транзисторов и сильноточных тиристоров нового поколения (2009 год) | ||||||
| 83. | Разработка технологии производства кремниевых подложек и структур для силовых полупроводниковых приборов с глубокими высоколегированными слоями р- и n-типов проводимости и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией | * | * | * | разработка и промышленное освоение получения высококачественных подложек и структур для использования в производстве силовых полупроводниковых приборов с глубокими высоколегированными слоями и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией (2009 год) | ||||||
| 84. | Разработка технологии производства электронного кремния, кремниевых пластин диаметром до 200 мм и кремниевых эпитаксиальных структур уровня технологии 0,25 - 0,18 мкм | * | * | * | создание технологии производства пластин кремния диаметром до 200 мм и эпитаксиальных структур уровня 0,25 - 0,18 мкм (2009 год) | ||||||
| 85. | Разработка методологии, конструктивно-технических решений и перспективной базовой технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами | * | * | * | * | * | разработка технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами, обеспечивающей сокращение состава сборочных операций и формирование трехмерных структур (2013 год) | ||||
| 86. | Разработка технологии производства гетероструктур SiGe для разработки сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм | * | * | * | * | * | создание базовой технологии производства гетероструктур SiGe для выпуска быстродействующих сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм (2011 год, 2013 год) | ||||
| 87. | Разработка технологии выращивания и обработки, в том числе плазмохимической, новых пьезоэлектрических материалов для акустоэлектроники и акустооптики | * | * | * | создание технологии выращивания и обработки пьезоэлектрических материалов акустоэлектроники и акустооптики для обеспечения производства широкой номенклатуры акустоэлектронных устройств нового поколения (2009 год) | ||||||
| 88. | Разработка технологий производства соединений А3В5 и тройных структур для производства сверхмощных лазерных диодов, высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов, фотоприемников среднего инфракрасного диапазона | * | * | * | * | * | создание технологии массового производства исходных материалов и структур для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники, в том числе производства сверхмощных лазерных диодов (2010 год), высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов (2011 год), фотоприемников среднего инфракрасного диапазона (2013 год) | ||||
| 89. | Исследование и разработка технологии получения гетероструктур с вертикальными оптическими резонаторами на основе квантовых ям и квантовых точек для производства вертикально излучающих лазеров для устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения | * | * | * | создание технологии производства принципиально новых материалов полупроводниковой электроники на основе сложных композиций для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники (2009 год) | ||||||
| 90. | Разработка технологии производства современных компонентов для специализированных фотоэлектронных приборов, в том числе катодов и газо-поглотителей, электронно-оптических и отклоняющих систем, стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок | * | * | * | создание технологии производства компонентов для специализированных электронно-лучевых (2010 год), электронно-оптических и отклоняющих систем (2010 год), стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок (2011 год) | ||||||
| 91. | Разработка технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для высокоэффективных фотокатодов, электронно-оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона и солнечных элементов с высокими значениями коэффициента полезного действия | * | * | * | создание технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для изготовления высокоэффективных фотокатодов электронно-оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона, солнечных элементов и других приложений (2009 год) | ||||||
| 92. | Разработка базовой технологии производства монокристаллов AlN для изготовления изолирующих и проводящих подложек для гетероструктур | * | * | * | создание технологии монокристаллов AlN для изготовления изолирующих и проводящих подложек для создания полупроводниковых высокотемпературных и мощных сверхвысокочастотных приборов нового поколения (2011 год) | ||||||
| 93. | Разработка базовой технологии производства наноструктурированных оксидов металлов (корунда и др.) для производства вакуумно-плотной нанокерамики, в том числе с заданными оптическими свойствами | * | * | * | создание базовой технологии вакуумно-плотной спецстойкой керамики из нанокристаллических порошков и нитридов металлов для промышленного освоения спецстойких приборов нового поколения (2009 год), в том числе микрочипов, сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-матриц, а также особо прочной электронной компонентной базы оптоэлектроники и фотоники | ||||||
| 94. | Разработка базовой технологии производства полимерных и гибридных органо-неорганических наноструктурированных защитных материалов для электронных компонентов нового поколения прецизионных и сверхвысокочастотных резисторов, терминаторов, аттенюаторов и резисторно-индукционно-емкостных матриц, стойких к воздействию комплекса специальных внешних факторов | * | * | * | создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями для создания изделий с высокой механической, термической и радиационной стойкостью при работе в условиях длительной эксплуатации и воздействии комплекса специальных внешних факторов (2011 год) | ||||||
| 95. | Исследование и разработка перспективных гетероструктурных и наноструктурированных материалов с экстремальными характеристиками для перспективных электронных приборов и радиоэлектронной аппаратуры специального назначения | * | * | * | * | * | * | создание базовой технологии производства гетероструктур, структур и псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц (2012 год), создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий (2013 год), алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения, создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов (2015 год) | |||
| 96. | Исследование и разработка экологически чистых материалов и методов их использования в производстве электронной компонентной базы и радиоаппаратуры, включая бессвинцовые композиции для сборки | * | * | * | * | * | создание нового класса конструкционных и технологических материалов для уровней технологии 0,065 - 0,032 мкм и обеспечения высокого процента выхода годных изделий, экологических требований по международным стандартам (2012 год, 2015 год) | ||||
| 97. | Разработка перспективных технологий получения ленточных материалов (полимерные, металлические, плакированные и другие) для радиоэлектронной аппаратуры и сборочных операций электронной компонентной базы | * | * | * | * | * | создание перспективных технологий производства компонентов для специализированных электронно-лучевых, электронно-оптических и отклоняющих систем, стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок (2013 год), создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями (2015 год) | ||||
| Всего по направлению 5 | * | * | * | * | * | * | * | * | * | ||
| Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы | |||||||||||
| 98. | Разработка технологии выпуска прецизионных температуростабильных высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц резонаторов на поверхностно акустических волнах до 1,5 ГГц с полосой до 70 процентов и длительностью сжатого сигнала до 2 - 5 нс | * | * | * | разработка расширенного ряда резонаторов с повышенной кратковременной и долговременной стабильностью для создания контрольной аппаратуры и техники связи двойного назначения | ||||||
| 99. | Разработка в лицензируемых и нелицензируемых международных частотных диапазонах 860 МГц и 2,45 ГГц ряда радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных меток-транспондеров, в том числе работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом | * | * | * | * | создание технологии и конструкции акустоэлектронных пассивных и активных меток-транспондеров для применения в логистических приложениях на транспорте, в торговле и промышленности (2010 год, 2011 год) | |||||
| 100. | Разработка базовой конструкции и промышленной технологии производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа | * | * | * | создание технологии проектирования и базовых конструкций пьезоэлектрических фильтров в малогабаритных корпусах для поверхностного монтажа при изготовлении техники связи массового применения (2009 год) | ||||||
| 101. | Разработка технологии проектирования, базовой технологии производства и конструирования акустоэлектронных устройств нового поколения и фильтров промежуточной частоты с высокими характеристиками для современных систем связи, включая высокоизбирательные высокочастотные устройства частотной селекции на поверхностных и приповерхностных волнах и волнах Гуляева-Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц | * | * | создание базовой технологии акустоэлектронных приборов для перспективных систем связи, измерительной и навигационной аппаратуры нового поколения - подвижных, спутниковых, тропосферных и радиорелейных линий связи, цифрового интерактивного телевидения, радиоизмерительной аппаратуры, радиолокационных станций, спутниковых навигационных систем (2008 год) | |||||||
| 102. | Разработка технологии проектирования и базовой технологии производства функциональных законченных устройств стабилизации, селекции частоты и обработки сигналов типа "система в корпусе" | * | * | * | создание технологии производства высокоинтегрированной электронной компонентной базы типа "система в корпусе" для вновь разрабатываемых и модернизируемых сложных радиоэлектронных систем и комплексов (2010 год) | ||||||
| 103. | Разработка базовой конструкции и технологии изготовления высокочастотных резонаторов и фильтров на объемных акустических волнах для телекоммуникационных и навигационных систем | * | * | * | * | создание базовой технологии (2013 год) и базовой конструкции микроминиатюрных высокодобротных фильтров для малогабаритной и носимой аппаратуры навигации и связи | |||||
| 104. | Разработка технологии и базовой конструкции фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений | * | * | создание нового поколения оптоэлектронных приборов для обеспечения задач предотвращения аварий и контроля | |||||||
| 105. | Разработка базовой технологии унифицированных электронно-оптических преобразователей, микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона | * | * | * | создание базовой технологии нового поколения приборов контроля тепловых полей для задач теплоэнергетики, медицины, поисковой и контрольной аппаратуры на транспорте, продуктопроводах и в охранных системах (2009 год) | ||||||
| 106. | Разработка базовой технологии создания интегрированных гибридных фотоэлектронных высокочувствительных и высокоразрешающих приборов и усилителей для задач космического мониторинга и специальных систем наблюдения, научной и метрологической аппаратуры | * | * | * | создание базовой технологии (2008 год) и конструкции новых типов приборов, сочетающих фотоэлектронные и твердотельные технологии, в целях получения экстремально достижимых характеристик для задач контроля и наблюдения в системах двойного назначения | ||||||
| 107. | Разработка базовых технологий мощных полупроводниковых лазерных диодов (непрерывного и импульсного излучения), специализированных лазерных полупроводниковых диодов, фотодиодов и лазерных волоконно-оптических модулей для создания аппаратуры и систем нового поколения | * | * | * | создание базовой технологии (2008 год) и конструкций принципиально новых мощных диодных лазеров, предназначенных для широкого применения в изделиях двойного назначения, медицины, полиграфического оборудования и системах открытой оптической связи | ||||||
| 108. | Разработка и освоение базовых технологий для лазерных навигационных приборов, включая интегральный оптический модуль лазерного гироскопа на базе сверхмалогабаритных кольцевых полупроводниковых лазеров инфракрасного диапазона, оптоэлектронные компоненты для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта | * | * | * | * | разработка базового комплекта основных оптоэлектронных компонентов для лазерных гироскопов широкого применения (2010 год), создание комплекса технологий обработки и формирования структурных и приборных элементов, оборудования контроля и аттестации, обеспечивающих новый уровень технико-экономических показателей производства | |||||
| 109. | Разработка базовых конструкций и технологий создания квантово-электронных приемо-передающих модулей для малогабаритных лазерных дальномеров нового поколения на основе твердотельных чип-лазеров с полупроводниковой накачкой, технологических лазерных установок широкого спектрального диапазона | * | * | создание базовой технологии твердотельных чип-лазеров для лазерных дальномеров, твердотельных лазеров с пикосекундными длительностями импульсов для установок по прецизионной обработке композитных материалов, для создания элементов и изделий микромашиностроения и в производстве электронной компонентной базы нового поколения, мощных лазеров для применения в машиностроении, авиастроении, автомобилестроении, судостроении, в составе промышленных технологических установок обработки и сборки, систем экологического мониторинга окружающей среды, контроля выбросов патогенных веществ, контроля утечек в продуктопроводах (2008 год, 2009 год) | |||||||
| 110. | Разработка базовых технологий формирования конструктивных узлов и блоков для лазеров нового поколения и технологии создания полного комплекта электронной компонентной базы для производства лазерного устройства определения наличия опасных, взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом пространстве | * | * | * | создание технологии получения широкоапертурных элементов на основе алюмоиттриевой легированной керамики композитных составов для лазеров с диодной накачкой (2008 год), высокоэффективных преобразователей частоты лазерного излучения, организация промышленного выпуска оптических изделий и лазерных элементов широкой номенклатуры | ||||||
| 111. | Разработка базовых технологий, базовой конструкции и организация производства интегрированных катодолюминесцентных и других дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением | * | * | * | разработка расширенной серии низковольтных катодолюминесцентных и других дисплеев с широким диапазоном эргономических характеристик и свойств по условиям применения для информационных и контрольных систем | ||||||
| 112. | Разработка технологии и базовых конструкций высокояркостных светодиодов и индикаторов основных цветов свечения для систем подсветки в приборах нового поколения | * | * | * | создание ряда принципиально новых светоизлучающих приборов с минимальными геометрическими размерами, высокой надежностью и устойчивостью к механическим и климатическим воздействиям, обеспечивающих энергосбережение за счет замены ламп накаливания в системах подсветки аппаратуры и освещения | ||||||
| 113. | Разработка базовой технологии и конструкции оптоэлектронных приборов (оптроны, оптореле, светодиоды) в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа | * | * | * | * | создание базовой технологии производства нового поколения оптоэлектронной высокоэффективной и надежной электронной компонентной базы для промышленного оборудования и систем связи (2010 год, 2011 год) | |||||
| 114. | Разработка схемотехнических решений и унифицированных базовых конструкций и технологий формирования твердотельных видеомодулей на полупроводниковых светоизлучающих структурах для носимой аппаратуры, экранов индивидуального и коллективного пользования с бесшовной стыковкой | * | * | * | создание технологии новых классов носимой и стационарной аппаратуры, экранов отображения информации коллективного пользования повышенных емкости и формата (2009 год) | ||||||
| 115. | Разработка базовой технологии изготовления высокоэффективных солнечных элементов на базе использования кремния, полученного по "бесхлоридной" технологии и технологии "литого" кремния прямоугольного сечения | * | * | * | создание технологии массового производства солнечных элементов для индивидуального и коллективного использования в труднодоступных районах, развития солнечной энергетики в жилищно-коммунальном хозяйстве для обеспечения задач энергосбережения (2009 год) | ||||||
| 116. | Разработка базовой технологии и освоение производства оптоэлектронных реле с повышенными техническими характеристиками для поверхностного монтажа | * | * | * | создание технологии массового производства нового класса оптоэлектронных приборов для широкого применения в радиоэлектронной аппаратуре (2009 год) | ||||||
| 117. | Комплексное исследование и разработка технологий получения новых классов органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления с катушки на катушку | * | * | * | * | создание базовой технологии массового производства экранов с предельно низкой удельной стоимостью для информационных и обучающих систем (2010 год, 2011 год) | |||||
| 118. | Разработка базовых конструкций и технологии активных матриц и драйверов плоских экранов на основе аморфных, поликристаллических и кристаллических кремниевых интегральных структур на различных подложках и создание на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные, создание базовой технологии серийного производства монолитных модулей двойного назначения | * | * | * | * | создание технологии и конструкции активно-матричных органических электролюминесцентных, жидкокристаллических и катодолюминесцентных дисплеев, стойких к внешним специальным и климатическим воздействиям (2010 год) | |||||
| 119. | Разработка базовой конструкции и технологии крупноформатных полноцветных газоразрядных видеомодулей | * | * | * | * | создание технологии и базовых конструкций полноцветных газоразрядных видеомодулей специального и двойного назначения для наборных экранов коллективного пользования (2010 год) | |||||
| 120. | Разработка технологии сверхпрецизионных резисторов и гибридных интегральных схем цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на их основе в металлокерамических корпусах для аппаратуры двойного назначения | * | * | * | * | разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов, гибридных интегральных схем цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей с параметрами, превышающими уровень существующих отечественных и зарубежных изделий, для аппаратуры связи, диагностического контроля, медицинского оборудования, авиастроения, станкостроения, измерительной техники (2010 год) | |||||
| 121. | Разработка базовой технологии особо стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона номиналов, прецизионных датчиков тока для измерительной и контрольной аппаратуры и освоение их производства | * | * | * | * | разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов с повышенной удельной мощностью рассеяния, высоковольтных высокоомных резисторов для измерительной техники, приборов ночного видения и аппаратуры контроля (2013 год) | |||||
| 122. | Разработка технологии и базовых конструкций резисторов и резистивных структур нового поколения для поверхностного монтажа, в том числе резисторов с повышенными характеристиками, ультранизкоомных резисторов, малогабаритных подстроечных резисторов, интегральных сборок серии нелинейных полупроводниковых резисторов в многослойном исполнении чип-конструкции | * | * | * | * | * | * | создание базовой технологии и конструкции резисторов с повышенными значениями стабильности, удельной мощности в чип-исполнении на основе многослойных монолитных структур (2010 год, 2013 год) | |||
| 123. | Разработка технологий формирования интегрированных резистивных структур с повышенными технико-эксплуатационными характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой сборки | * | * | * | создание базовой технологии производства датчиков на резистивной основе с высокими техническими характеристиками и надежностью (2009 год) | ||||||
| 124. | Создание групповой технологии автоматизированного производства толстопленочных чип- и микрочип-резисторов | * | * | * | создание технологии автоматизированного производства чип- и микрочип-резисторов (в габаритах 0402, 0201 и менее) для применения в массовой аппаратуре (2009 год) | ||||||
| 125. | Разработка новых базовых технологий и конструктивных решений изготовления танталовых оксидно-полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов и чип-конденсаторов и организация производства конденсаторов с повышенным удельным зарядом, сверхнизким значением внутреннего сопротивления и улучшенными потребительскими характеристиками | * | * | * | * | создание базовой технологии производства конденсаторов с качественно улучшенными характеристиками с электродами из неблагородных металлов при сохранении высокого уровня надежности (2010 год) | |||||
| 126. | Разработка комплексной базовой технологии и организация производства конденсаторов с органическим диэлектриком и повышенными удельными характеристиками и ионисторов с повышенным током разряда | * | * | * | создание базовых технологий конденсаторов и ионисторов на основе полимерных материалов с повышенным удельным зарядом и энергоемких накопительных конденсаторов с повышенной удельной энергией (2009 год) | ||||||
| 127. | Разработка технологии, базовых конструкций высоковольтных (быстродействующих, мощных) вакуумных выключателей нового поколения с предельными характеристиками для радиотехнической аппаратуры с высокими сроками службы | * | * | * | * | создание технологии и базовых конструкций нового поколения выключателей для радиоэлектронной аппаратуры с повышенными тактико-техническими характеристиками и надежностью (2011 год) | |||||
| 128. | Разработка технологий создания газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей с повышенными техническими характеристиками | * | * | * | создание технологии изготовления коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей в широком диапазоне напряжений и токов для радиоэлектронных и электротехнических систем (2009 год) | ||||||
| 129. | Разработка полного комплекта электронной компонентной базы для создания модульного устройства грозозащиты зданий и сооружений с обеспечением требований по международным стандартам | * | * | создание технологии выпуска устройств грозозащиты в индивидуальном, промышленном и гражданском строительстве, строительстве пожароопасных объектов (2008 год) | |||||||
| 130. | Разработка базовых конструкций и технологий изготовления малогабаритных переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа | * | * | * | создание базовой технологии формирования высококачественных гальванических покрытий, технологии прецизионного формирования изделий для автоматизированных систем изготовления коммутационных устройств широкого назначения (2009 год) | ||||||
| 131. | Комплексное исследование и разработка пленочных технологий изготовления высокоэкономичных крупноформатных гибких и особо плоских экранов | * | * | * | * | * | * | комплексное исследование и разработка технологий получения новых классов органических светоизлучающих диодов (ОСИД), полимерной пленочной основы и технологий изготовления гибких ОСИД-экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати, процессов наноимпринта и рулонной технологии изготовления (2015 год) | |||
| 132. | Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных и квантовых структур и приборов нового поколения | * | * | * | * | * | * | создание технологии формирования нового поколения оптоэлектронных комплексированных приборов, обеспечивающих создание "системы на кристалле" с оптическими входами-выходами (2014 год, 2015 год) | |||
| 133. | Разработка перспективных технологий промышленного изготовления солнечных высокоэффективных элементов | * | * | * | * | * | создание перспективной технологии изготовления солнечных элементов на основе четверных соединений нитридов металлов III группы (2015 год) | ||||
| Всего по направлению 6 | * | * | * | * | * | * | * | * | * | ||
| Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции | |||||||||||
| 134. | Разработка базовых технологий создания рядов приемо-передающих унифицированных электронных модулей для аппаратуры связи, радиолокации, телекоммуникаций, бортовых радиотехнических средств | * | * | * | * | * | * | * | * | * | создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной элементной базы и последних достижений в разработке алгоритмов сжатия видеоизображений приемо-передающих унифицированных электронных модулей аппаратуры связи, телекоммуникаций, цифрового телевидения, бортовых радиотехнических средств, активных фазированных антенных решеток с параметрами диапазона частот до 100 ГГц, скорости передачи информации до 100 Гбит/с, создание базовых технологий и конструкции для создания унифицированных рядов приемо-передающих унифицированных электронных модулей аппаратуры волоконно-оптических линий связи когерентных, высокоскоростных каналов со спектральным уплотнением, телекоммуникаций, цифрового телевидения, обеспечивающих импортозамещение в этой области, разработка новых технологий |
| 135. | Разработка базовых технологий создания нового класса унифицированных электронных модулей для обработки аналоговых и цифровых сигналов на основе устройств функциональной электроники, приборов обработки сигналов аналого-цифровых и цифроаналоговых преобразователей, сенсоров и преобразователей | * | * | * | * | * | * | * | * | * | создание на основе базовых технологий и современной отечественной твердотельной компонентной электронной базы унифицированных электронных модулей нового поколения для обработки аналоговых и цифровых сигналов радиолокационных систем и других радиотехнических систем в высокочастотных и сверхвысокочастотных диапазонах, освоение производства нового класса многофункциональных радиоэлектронных устройств, разработка унифицированных электронных модулей преобразователей физических и химических величин для измерения и контроля широкой номенклатуры параметров микромеханических систем |
| 136. | Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных электронных модулей для систем телеметрии, управления, навигации (угловых и линейных перемещений, ориентации, стабилизации, позиционирования, наведения, радиопеленгации, единого времени) | * | * | * | * | * | * | * | * | * | создание рядов унифицированных электронных модулей для систем телеметрии, управления, радиолокационных, робототехнических, телекоммуникационных систем и навигации (ориентации, стабилизации, позиционирования, наведения, радиопеленгации, единого времени), позволяющих резко снизить стоимость и организовать крупносерийное производство радиоэлектронных средств широкого применения |
| 137. | Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных электронных модулей процессоров, скоростного и сверхскоростного ввода-вывода данных, шифрования и дешифрования данных, интерфейсов обмена, систем сбора и хранения информации, периферийных устройств, систем идентификации и управления доступом, конверторов, информационно-вычислительных систем | * | * | * | * | * | * | * | * | * | создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной базы унифицированных электронных модулей широкой номенклатуры для применения в различных информационных системах, в том числе унифицированных электронных модулей шифрования и дешифрования данных, разработка базовых технологий и конструкций унифицированных электронных модулей систем радиочастотной идентификации, систем идентификации личности, транспортных средств, контроля доступа на объекты повышенной безопасности, объектов атомной энергетики. В создаваемых унифицированных электронных модулях будет обеспечена скорость обмена и передачи информации до 30 Гб/с |
| 138. | Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных электронных цифровых модулей для перспективных магистрально-модульных архитектур | * | * | * | * | * | * | * | * | * | разработка на основе перспективных отечественных сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" базового ряда электронных модулей для создания перспективных магистрально-модульных архитектур, обеспечивающих создание защищенных средств вычислительной техники нового поколения (автоматизированные рабочие места, серверы, средства высокоскоростных линий волоконной связи), функционирующих с использованием современных высокоскоростных последовательных и параллельных системных интерфейсов |
| 139. | Разработка базовых технологий создания ряда унифицированных электронных модулей для контрольно-измерительной, метрологической и поверочной аппаратуры, аппаратуры тестового контроля, диагностики блоков радиоэлектронной аппаратуры, для стандартных и встроенных систем контроля и измерений | * | * | * | * | * | * | * | * | * | создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной базы рядов унифицированных электронных модулей, обеспечивающих возможность создания по модульному принципу контрольно-измерительной, метрологической и поверочной аппаратуры, аппаратуры тестового контроля и диагностики на основе базовых несущих конструкций, создание комплекта сложнофункциональных блоков, определяющих ядро измерительных приборов, систем и комплексов, разработка законченных функциональных модулей, предназначенных для выполнения процессорных и интерфейсных функций поверки и диагностики сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" для систем управления, а также систем проектирования и изготовления модулей систем управления и бортовых электронно-вычислительных машин, систем обработки информации и вычислений |
| 140. | Разработка базовых технологий создания нового поколения унифицированных рядов средств электропитания и преобразователей электроэнергии для радиоэлектронных систем и аппаратуры гражданского и двойного назначения | * | * | * | * | * | * | * | * | * | разработка базовых технологий создания системообразующих унифицированных рядов средств (систем, источников, сервисных устройств) и преобразователей электроэнергии нового поколения межвидового и межведомственного применения, в том числе средств электропитания с высокой плотностью упаковки элементов с применением бескорпусных изделий, плоских моточных изделий пленочной технологии, новых методов экранирования, отвода и рассеяния тепла, основанных на применении наноразмерных материалов с высокой анизотропной теплопроводностью. Будут разработаны базовые технологии создания унифицированных рядов источников электропитания, преобразователей электрической энергии, источников и систем бесперебойного электропитания, фильтров сетевых модулей автоматического переключения каналов, модулей защиты от сетевых помех, адаптеров |
| 141. | Разработка оптимизированной системы базовых несущих конструкций первого, второго и третьего уровней для наземной, морской, авиационной и космической радиоэлектронной аппаратуры специального и двойного назначения, предназначенной для жестких условий эксплуатации, в том числе работающей в негерметизированном отсеке с использованием прогрессивных технологий | * | * | * | * | * | * | * | * | * | разработка системы базовых несущих конструкций, изготавливаемых на основе прогрессивных технологий и обеспечивающих техническую совместимость со всеми видами современных объектов с использованием композиционных материалов. Применение оптимизированных базовых несущих конструкций позволит сократить сроки разработки радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 раза, снизить трудоемкость изготовления базовых несущих конструкций в 1,5 - 2 раза, на 25 процентов уменьшить материалоемкость и сократить затраты на производство радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 - 1,3 раза, обеспечить эффективное импортозамещение |
| 142. | Разработка базовых технологий комплексно интегрированных базовых несущих конструкций с функциями контроля, диагностики, индикации функционирования | * | * | * | * | * | * | * | * | * | разработка системы базовых несущих конструкций, изготавливаемых на основе прогрессивных технологий и обеспечивающих техническую совместимость со всеми видами современных объектов с использованием композиционных материалов. Применение оптимизированных базовых несущих конструкций позволит сократить сроки разработки радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 раза, снизить трудоемкость изготовления базовых несущих конструкций в 1,5 - 2 раза, на 25 процентов уменьшить материалоемкость и сократить затраты на производство радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 - 1,3 раза, обеспечить эффективное импортозамещение |
| 143. | Разработка базовых технологий создания облегченных паяных базовых несущих конструкций для радиоэлектронной аппаратуры авиационного и космического базирования на основе существующих и перспективных алюминиевых сплавов повышенной прочности, обеспечивающих отвод тепла по элементам конструкции | * | * | * | * | * | * | * | * | * | обеспечение улучшения массогабаритных характеристик бортовой аппаратуры на 10 процентов и повышение прочности при внешних воздействиях в 1,2 раза |
| 144. | Разработка контейнерных базовых несущих конструкций с унифицированными интерфейсными средствами для комплексирования бортовых и наземных систем и комплексов различного назначения | * | * | * | * | * | * | * | * | * | повышение уровня системной интеграции и комплексирования средств и систем, повышение конкурентоспособности не менее чем в 2 раза, обеспечение функционирования аппаратуры в условиях внешних жестких воздействий |
| Всего по направлению 7 | * | * | * | * | * | * | * | * | * | ||
| Направление 8. Типовые базовые технологические процессы | |||||||||||
| 145. | Разработка технологии изготовления высокоплотных теплонагруженных и сильноточных печатных плат | * | * | * | * | * | * | * | * | * | обеспечение разработки технологий производства печатных плат 5-го и выше классов точности, включая платы со встроенными пассивными элементами, создания межслойных соединений с переходными сопротивлениями до 1 мОм для силовых цепей электропитания, формирования слоев меди (в том числе с толщиной до 200 - 400 мкм), серебра, никеля с высокими показателями проводимости, формирования финишных покрытий для бессвинцовой технологии производства изделий, производства многослойных печатных плат под высокие температуры пайки, лазерных процессов изготовления печатных плат, прямой металлизации сквозных и глухих отверстий |
| 146. | Разработка технологии изготовления прецизионных коммутационных плат на основе керамики (в том числе низкотемпературной), металла, углепластика и других функциональных материалов | * | * | * | * | * | * | * | * | * | обеспечение разработки технологий изготовления коммутационных плат для жестких условий эксплуатации и широкого диапазона частот, получения коммутационных плат с температурным коэффициентом расширения, соответствующим тепловым характеристикам многовыводных корпусов (в том числе керамических) современных приборов, обеспечения предельно минимального газовыделения в замкнутом пространстве герметичных модулей, снижения энергоемкости технологических процессов за счет применения прогрессивных материалов и методов обработки, в том числе низкотемпературной керамики, интеграции в коммутационную плату теплостоков и низкоомных проводников, пассивных элементов, прогрессивных методов формообразования элементов коммутационных плат, обеспечения совмещенного монтажа компонентов методами пайки и сварки на одной плате |
| 147. | Разработка технологий сборки, монтажа электронных модулей, многокристальных модулей и микросборок на основе новой компонентной базы, перспективных технологических и конструкционных материалов | * | * | * | * | * | * | * | * | * | обеспечение разработки технологий новых методов присоединения, сварки, пайки, в том числе с применением бессвинцовых припоев, высокоточного дозирования материалов, применяемых при сборке (флюсы, припои и припойные пасты, клеи, лаки, компаунды и др.), новых методов сборки и пайки корпусов типа BGA, CSP, Flip-chip и других на различные коммутационные платы, монтажа новой электронной компонентной базы, в том числе бескорпусных кристаллов силовых ключей на токовые шины, сборки и монтажа низкопрофильных магнитных компонентов, настройки и ремонта сложных модулей, в том числе демонтажа и повторного монтажа многовыводных компонентов с восстановлением влагозащиты |
| 148. | Разработка технологии создания межблочных соединений для коммутации сигналов в широком диапазоне частот и мощностей | * | * | * | * | * | * | * | * | * | обеспечение разработки технологий изготовления антенно-фидерных устройств, в том числе гибких волноводов, вращающихся сочленений с различными видами охлаждения, оптоволоконной коммутации, устойчивой к воздействию жестких условий эксплуатации для различных условий применения, в том числе для систем дистанционного управления и мониторинга, изготовления устройств коммутации (разъемов, переключателей и др.) различного назначения, в том числе многовыводных, герметичных, врубных, сильноточных и др. |
| 149. | Разработка методов, средств и технологии автоматизированного контроля коммутационных плат, узлов, электронных модулей и приборов специального и общего применения на этапах разработки и производства | * | * | * | * | * | * | * | * | * | повышение процента выхода годных изделий, снижение потерь на 15 - 30 процентов, обеспечение разработки неразрушающих методов контроля качества монтажных соединений и многослойных структур за счет использования различного излучения и цифровой обработки информации, методов выявления напряженных состояний элементов конструкции и потенциальных неисправностей изделий |
| 150. | Разработка технологии производства специальных технологических и конструкционных материалов и базовой технологии защиты электронных модулей от воздействия в жестких условиях эксплуатации | * | * | * | * | * | * | * | * | * | импортозамещение специальных конструкционных и технологических материалов, обеспечивающих процессы бессвинцовой и комбинированной пайки, изготовления коммутационных плат, разработка влагозащитных электроизоляционных покрытий с минимальным газовыделением со сроком эксплуатации 25 и более лет, разработка быстроотверждающихся, эластичных, с низким газовыделением в вакууме клеев, компаундов, разработка материалов и технологии их применения для формирования теплостоков в высокоплотной аппаратуре, разработка высокоэффективных ферритов для планарных трансформаторов повышенной мощности, обеспечение разработки технологий локальной защиты чувствительных компонентов, общей защиты модулей органическими материалами, в том числе наноструктурированными, изготовление вакуумно-плотных корпусов многокристальных модулей и микросборок под поверхностный монтаж на платы, формирование покрытий, обеспечивающих длительную защиту от дестабилизирующих факторов внешней среды, включая ионизирующие излучения, нанесение локальных покрытий с заданными свойствами на элементы конструкции модулей |
| Всего по направлению 8 | * | * | * | * | * | * | * | * | * | ||
| Направление 9. Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов | |||||||||||
| 151. | Разработка технологий создания систем и оборудования автоматизации проектирования радиоэлектронных систем и комплексов | * | * | * | * | * | * | * | * | * | создание технологий отечественного программно-аппаратного обеспечения и средств разработки для автоматизированного проектирования радиоэлектронного оборудования с использованием различных технологических процессов, повышение качества и сокращение сроков разработки радиоэлектронной продукции, создание технологий обеспечения информационной безопасности функционирования информационно-управляющих систем, существенное повышение уровней защиты информации в информационно-управляющих системах, создание базовых универсальных функциональных модулей защиты информации от несанкционированного доступа, вирусных атак, средств разведки и считывания информации, криптозащиты каналов систем, реализация полного технологического цикла проектирования, испытаний и производства унифицированной высокоэффективной, импортозамещающей, конкурентоспособной аппаратуры |
| 152. | Разработка технологий моделирования сложных информационно-управляющих систем, в том числе систем реального времени | * | * | * | * | * | * | * | * | * | создание новых способов моделирования, в том числе комбинированного способа моделирования, позволяющего существенным образом повысить быстродействие вычислений при сохранении точности расчета выходных показателей эффективности, способа операционно-динамического моделирования, снижение сроков разработки и испытаний радиоэлектронной продукции, повышение достоверности математического и имитационного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний и экспериментов |
| 153. | Разработка технологий полунатурных и стендовых испытаний сложных информационно-управляющих систем | * | * | * | * | * | * | * | * | * | создание метрологически аттестованной унифицированной стендовой испытательной базы для проведения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, снижение сроков разработки и стоимости испытаний радиоэлектронной продукции, существенное повышение достоверности полунатурного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний |
| 154. | Разработка технологии конструирования и производства, а также аппаратно-программного обеспечения метрологических систем различного назначения для создания нового поколения отечественного парка измерительной аппаратуры | * | * | * | * | * | * | * | * | * | разработка базовых технологий, элементов и конструкций для создания парка измерительных систем и приборов, необходимых для разработки и испытаний радиотехнических информационно-управляющих систем, систем связи и телекоммуникаций |
| Всего по направлению 9 | * | * | * | * | * | * | * | * | * | ||
| Направление 10. Обеспечивающие работы | |||||||||||
| 155. | Разработка организационных принципов и научно-технической базы обеспечения проектирования и производства электронной компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации | * | * | * | * | * | * | * | * | * | разработка комплекта методической и научно-технической документации для обеспечения функционирования систем проектирования и производства электронной компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации |
| 156. | Создание и обеспечение функционирования системы испытаний электронной компонентной базы, обеспечивающей поставку изделий с гарантированной надежностью для комплектации систем специального и двойного назначения | * | * | * | * | * | * | * | * | * | разработка новых и совершенствование существующих методов испытаний электронной компонентной базы, разработка методов отбраковочных испытаний перспективной электронной компонентной базы, обеспечение поставки изделий с гарантированной надежностью для комплектации систем специального назначения (атомная энергетика, космические программы, транспорт, системы двойного назначения) |
| 157. | Разработка и совершенствование методов, обеспечивающих качество и надежность сложнофункциональной электронной компонентной базы на этапах опытно-конструкторских работ, освоения и производства | * | * | * | * | * | * | * | * | * | разработка и систематизация методов расчетно-экспериментальной оценки показателей надежности электронной компонентной базы, разрешенной для применения в аппаратуре, функционирующей в специальных условиях и с длительными сроками активного существования |
| 158. | Создание и внедрение основополагающих документов по обеспечению жизненного цикла изделия на этапах проектирования, производства, применения и утилизации электронной компонентной базы | * | * | * | * | * | * | * | * | разработка системы технологий обеспечения жизненного цикла изделия при создании широкой номенклатуры электронной компонентной базы | |
| 159. | Научное сопровождение Программы, в том числе определение технологического и технического уровней развития отечественной и импортной электронной компонентной базы на основе их рубежных технико-экономических показателей, разработка "маршрутных карт" развития групп электронной компонентной базы | * | * | * | * | * | * | * | * | * | оптимизация состава выполняемых комплексов научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по развитию электронной компонентной базы в рамках Программы и определение перспективных направлений создания новых классов электронной компонентной базы с установлением системы технико-экономических и рубежных технологических показателей, разработка "маршрутных карт" развития по направлениям электронной компонентной базы |
| 160. | Создание интегрированной информационно-аналитической автоматизированной системы по развитию электронной компонентной базы, охватывающей деятельность заказчика-координатора, заказчика и организаций, участвующих в выполнении комплекса программных мероприятий, в целях оптимизации состава участников, финансовых средств, перечисляемой государству прибыли и достижения заданных технико-экономических показателей разрабатываемой электронной компонентной базы | * | * | * | * | * | * | * | * | * | проведение технико-экономической оптимизации выполнения комплексных годовых мероприятий подпрограммы, создание системы действенного финансового и технического контроля выполнения Программы |
| 161. | Определение перспектив развития российской электронной компонентной базы на основе анализа динамики сегментов мирового и отечественного рынков радиоэлектронной продукции и действующей производственно-технологической базы | * | * | * | * | * | * | * | * | * | формирование системно-ориентированных материалов по экономике, технологиям проектирования и производству электронной компонентной базы, обобщение и анализ мирового опыта для выработки технически и экономически обоснованных решений развития электронной компонентной базы |
| 162. | Системный анализ результатов выполнения комплекса мероприятий Программы на основе создания отраслевой системы планирования и учета развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы по основным технико-экономическим показателям | * | * | * | * | * | * | * | * | * | создание отраслевой системы учета и планирования развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы |
| Всего по направлению 10 | * | * | * | * | * | * | * | * | * | ||
| Всего по разделу I | * | * | * | * | * | * | * | * | * | ||
II. Капитальные вложения
| 2008 - 2015 годы - всего | В том числе | Сроки реализации (годы) | Площадь объекта (кв. метров) | Ожидаемые результаты | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год | ||||||
| 1. Минпромторг России | |||||||||||||
| 163. | Реконструкция и техническое перевооружение производства сверхвысокочастотной техники федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская область | * | * | * | * | 2008 - 2010 | 5293 | создание производственно-технологического комплекса по выпуску твердотельных сверхвысокочастотных субмодулей мощностью 100 тыс. штук в год | |||||
| 164. | Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Пульсар", г. Москва | * | * | * | * | * | 2008 - 2011 | 3424,4 | создание производственной технологической линии по выпуску сверхвысокочастотных приборов и модулей на широкозонных полупроводниках мощностью 360 тыс. штук в год | ||||
| 165. | Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Салют", г. Нижний Новгород | * | * | * | 2010 - 2011 | 3380 | расширение мощностей по производству активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью с 15 до 35 тыс. штук в год | ||||||
| 166. | Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Алмаз", г. Саратов | * | * | * | 2010 - 2011 | 3058,73 | ввод новых мощностей по производству новейших образцов ламп бегущей волны и других сверхвысокочастотных приборов, в том числе в миллиметровом диапазоне | ||||||
| 167. | Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Торий", г. Москва | * | * | * | 2010 - 2011 | 1438 | реконструкция производственной линии по выпуску новых сверхмощных сверхвысокочастотных приборов с повышенным уровнем технических параметров, надежности и долговечности мощностью 88 штук в год | ||||||
| 168. | Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ", г. Новосибирск | * | * | * | 2010 - 2011 | 1380 | реконструкция производственной линии для выпуска новых изделий радиационно стойкой электронной компонентной базы, необходимой для организаций Госкорпорации "Росатом" и Роскосмоса | ||||||
| 169. | Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Восток", г. Новосибирск | * | * | * | 2010 - 2011 | 1973 | создание производственных мощностей по выпуску радиационно стойкой электронной компонентной базы в количестве 80 - 100 тыс. штук в год для комплектования важнейших специальных систем | ||||||
| 170. | Техническое перевооружение открытого акционерного общества "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", г. Москва, г. Зеленоград | 1478,06 ---------- 739,03*(1) | * | * | * | 2012 - 2014 | 5240 | техническое перевооружение завода для выпуска сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,18 мкм | |||||
| 171. | Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", г. Москва | * | * | * | 2010 - 2011 | 2411 | организация участка прецизионной оптической и механической обработки деталей для лазерных излучателей, твердотельных лазеров и бескарданных лазерных гироскопов нового поколения мощностью 442 штуки год | ||||||
| 172. | Реконструкция и техническое перевооружение централизованного производства базовых несущих конструкций на федеральном государственном унитарном предприятии "Производственное объединение "Квант", г. Великий Новгород | * | * | 2009 | 7630,4 | обеспечение потребности в базовых несущих конструкциях, в том числе импортозамещающих, предприятий приборостроения, машиностроения, судостроения и других отраслей промышленности | |||||||
| 173. | Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов", г. Пенза | * | * | 2009 | 2404,6 | техническое перевооружение действующего производства электронной компонентной базы и микросистемотехники для создания новых рядов конкурентоспособных изделий электронной техники | |||||||
| 174. | Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт электронной техники", г. Воронеж | * | * | 2008 | 120 | техническое перевооружение действующих производственных мощностей по выпуску сверхбольших интегральных схем и мощных сверхвысокочастотных транзисторов с объемом выпуска сверхбольших интегральных схем 50 тыс. штук в год, мощных сверхвысокочастотных транзисторов 10 тыс. штук в год | |||||||
| 175. | Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", г. Москва | * | * | 2012 | 700 | организация серийного производства параметрических рядов мембранных датчиков мощностью 10 млн. штук в год и чувствительных элементов для сканирующей зондовой микроскопии мощностью 0,3 млн. штук в год | |||||||
| 176. | Реконструкция и техническое перевооружение производства перспективных тонкостенных антенно-фидерных устройств и волноводных трактов сверхвысокочастотного диапазона в открытом акционерном обществе "Рыбинский завод приборостроения", г. Рыбинск, Ярославская область | * | * | * | * | * | 2010 - 2013 | 12900 | расширение производства перспективных тонкостенных антенно-фидерных устройств и волноводных трактов сверхвысокочастотного диапазона, увеличение выпуска в 1,5 раза мощностью 44,76 тыс. штук в год | ||||
| 177. | Техническое перевооружение в целях создания отраслевого информационно-аналитического центра в открытом акционерном обществе "Центральный научно-исследовательский институт экономики, систем управления и информации "Электроника", г. Москва | 120 ---------- 60*(1) | * | * | 2013 - 2014 | 900 | информационно-аналитическое обеспечение деятельности организаций радиоэлектронной промышленности | ||||||
| 178. | Техническое перевооружение и реконструкция производства и лабораторной базы для разработки и производства перспективных радиоэлектронных модулей, изделий в открытом акционерном обществе "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва | * | * | * | 2012 - 2013 | 2226 | повышение эффективности, надежности и конкурентоспособности отечественных радиоэлектронных модулей, изделий, комплексов и систем открытого акционерного общества "Концерн радиостроения "Вега" | ||||||
| 179. | Техническое перевооружение в целях создания отраслевого информационно-аналитического центра по проектированию радиоэлектронных производств в открытом акционерном обществе "Мосэлектрон-проект", г. Москва | * | * | * | 2013 - 2014 | 3000 | разработка и внедрение современных технологий проектирования радиоэлектронных производств на базе прогрессивных аппаратно-программных средств автоматизированного проектирования, в основе которых лежит информационное моделирование зданий*(2) | ||||||
| 180. | Техническое перевооружение для создания производства нового поколения радиоэлектронных модулей в открытом акционерном обществе "Научно-производственное предприятие "Рубин", г. Пенза | * | * | * | * | 2009 - 2011 | 2456,4 | создание комплексного испытательного стенда для исследования образцов техники мощностью 800 штук в год | |||||
| 181. | Техническое перевооружение производственно-технологической, контрольно-испытательной базы в открытом акционерном обществе "Инженерно-маркетинговый центр Концерна "Вега", г. Москва | 379,9 ---------- 200*(1) | * | * | * | * | * | * | 2010 - 2015 | 996,3 | производство систем радиочастотной идентификации*(2) | ||
| 182. | Строительство лабораторно-производственного комплекса по выпуску перспективных многофункциональных электронных модулей в открытом акционерном обществе "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва | 3200 ---------- 1600*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 15000 | создание нового высокотехнологичного лабораторно-производственного комплекса для выпуска многофункциональных радиоэлектронных узлов, блоков и приборов на основе СнК, МИС, встраиваемых пассивных компонентов и технологий высокоплотного монтажа. Обеспечение разработки и выпуска конкурентоспособных изделий, комплексов и систем следующего поколения на основе перспективных производственных технологий, в том числе модулей для обработки и передачи сигналов радиолокационных навигационных и посадочных систем, антенных систем дистанционного зондирования Земли, микропроцессорных систем управления и контроля гибридных двигательных установок*(2) | |||||
| 183. | Реконструкция и техническое перевооружение в целях создания специализированного производства гироскопов в открытом акционерном обществе "Ижевский электромеханический завод "Купол", г. Ижевск, Удмуртская Республика | * | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 10735 | изготовление гироскопов для перспективных летательных аппаратов*(2) | ||||
| 184. | Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства унифицированных низкочастотных типовых элементов замены и модулей активных фазированных антенных решеток в открытом акционерном обществе "Марийский машиностроитель-ный завод", г. Йошкар-Ола, Республика Марий Эл | 1220 ---------- 610*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 4287 | изготовление унифицированных твердотельных низкочастотных типовых элементов замены для информационных средств и модулей активных фазированных антенных решеток для локационных систем различного применения, перспективных средств связи и управления воздушным движением*(2) | ||||
| 185. | Реконструкция и техническое перевооружение производства унифицированных электронных модулей межвидового применения на открытом акционерном обществе "Федеральный научно-производственный центр "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники", г. Нижний Новгород | * | * | * | * | 2011 - 2013 | 9582 | организация производства и внедрение современной технологии с соответствующим переоснащением высокопроизводительным оборудованием, увеличение объема ежегодного производства продукции с 2370 млн. рублей в 2007 году до 5028 млн. рублей в 2015 году | |||||
| 186. | Техническое перевооружение специализированного производства твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток в открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Правдинский радиозавод", г. Балахна, Нижегородская область | 970 ---------- 485*(1) | * | * | * | * | * | 2011 - 2015 | 8442,7 | увеличение объемов производства, повышение качества и надежности твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток L-диапазона для перспективных средств связи и управления воздушным движением*(2) | |||
| 187. | Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток в открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Лианозовский электромеханический завод", г. Москва | 1230 ---------- 615*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 6435 | увеличение объемов производства, повышение качества и надежности твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток С- и S-диапазонов волн для перспективных средств связи и управления воздушным движением*(2) | ||||
| 188. | Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства унифицированных высокочастотных типовых элементов замены в открытом акционерном обществе "Завод "Красное знамя", г. Рязань | * | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 2425 | изготовление унифицированных твердотельных высокочастотных типовых элементов замены для локационных систем различного применения, перспективных средств связи и управления воздушным движением, увеличение объема производства типовых элементов замены на 50 процентов*(2) | ||||
| 189. | Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства унифицированных рабочих мест операторов информационных систем в открытом акционерном обществе "Уральское производственное предприятие "Вектор", г. Екатеринбург | 960 ---------- 480*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 8008,02 | увеличение выпуска унифицированных автоматизированных рабочих мест операторов информационных и специального назначения управляющих систем в 1,7 раза*(2) | ||||
| 190. | Реконструкция и техническое перевооружение для создания регионального контрактного производства унифицированных электронных модулей в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж | * | * | * | 2012 - 2013 | 1290 | внедрение современных технологий с соответствующим переоснащением высокопроизводительным оборудованием для организации контрактного производства | ||||||
| 191. | Создание лабораторной, технологической и производственной базы для обеспечения разработки, производства и испытаний нового поколения телекоммуникационных систем и комплексов в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж | 2060 ---------- 1030*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 3112 | создание конкурентоспособной продукции мирового уровня, освоение технологий двойного назначения, увеличение объема выпуска изделий до 2 - 2,5 млрд. рублей в год*(2) | ||||
| 192. | Реконструкция и техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Калужский электромеханический завод", г. Калуга | * | * | 2012 | 620 | создание мощностей по изготовлению спецтехники нового поколения, обеспечивающей защиту специальной информации в информационно-коммуникационных системах | |||||||
| 193. | Техническое перевооружение производства перспективных коротковолновых радиостанций в открытом акционерном обществе "Тамбовский завод "Октябрь", г. Тамбов | * | * | * | 2011 - 2012 | 3156 | увеличение объема выпуска продукции в 1,3 - 1,5 раза, повышение качества и конкурентоспособности продукции | ||||||
| 194. | Реконструкция и техническое перевооружение производства наземной аппаратуры подвижной связи в открытом акционерном обществе "Тамбовский завод "Революционный труд", г. Тамбов | 350 ---------- 175*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 1390 | модернизация производства и внедрение современной технологии с соответствующим переоснащением высокопроизводительного оборудования*(2) | ||||
| 195. | Техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы в открытом акционерном обществе "Воронежский научно-исследовательский институт "Вега", г. Воронеж | * | * | * | * | 2011 - 2013 | 2332,2 | ускорение и повышение качества разработки мультисервисных сетей ведомственной и профессиональной связи, ожидаемый экономический эффект 3 млрд. рублей | |||||
| 196. | Техническое перевооружение лабораторной и производственно-технологической базы нового поколения узлов связи в открытом акционерном обществе "Тамбовский научно-исследовательский институт радиотехники "Эфир", г. Тамбов | * | * | 2011 | 7500 | ускорение и повышение качества разработки перспективных программно реализуемых сетей радиосвязи и серии унифицированных электронных модулей для построения указанных сетей | |||||||
| 197. | Техническое перевооружение производства открытого акционерного общества "Российская электроника", г. Москва | 899,12 ---------- 449,56*(1) | * | * | * | 2012 - 2014 | 1511,3 | создание новых производственных мощностей для выпуска перспективной номенклатуры резисторов, в том числе чип-резисторов в объеме 1 млрд. рублей в год | |||||
| 198. | Техническое перевооружение в целях создания промышленного производства сложнофункциональных сверхвысокочастотных комплексированных устройств, электронных модулей и блоков бортовой аппаратуры в открытом акционерном обществе "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина, г. Фрязино, Московская область | * | * | 2015 | 225*(3) | производственный комплекс по серийному выпуску сложнофункциональных сверхвысокочастотных комплексированных устройств, электронных модулей и блоков бортовой аппаратуры, включая синтезаторы частот, приемо-передающие моноблоки, комплексированные приемно-усилительные, приемно-преобразовательные и передающие устройства, с объемом производства до 750 комплектов блоков в год*(2) | |||||||
| 199. | Техническое перевооружение в целях создания производства новых электровакуумных приборов в открытом акционерном обществе "Научно-производственное предприятие "Контакт", г. Саратов | * | * | * | 2009 - 2010 | 2786 | увеличение объемов производства в 1,5 раза мощностью 4327 штук в год | ||||||
| 200. | Техническое перевооружение и реконструкция производства по выпуску электровакуумных приборов сверхвысокочастотного диапазона и специального технологического оборудования в открытом акционерном обществе "Владыкинский механический завод", г. Москва | * | * | * | * | 2008 - 2010 | 2015 | обеспечение увеличения объема выпуска продукции до 0,8 - 1,2 млрд. рублей в год, увеличения ресурса изделий, создания новых приборов мощностью 706 штук в год | |||||
| 201. | Техническое перевооружение для создания сборочного производства электронных модулей с использованием новейшей электронной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Электромеханический завод "Звезда", г. Сергиев Посад, Московская область | * | * | * | 2012 - 2013 | 3081,3 | создание сборочного производства с использованием микроминиатюрной элементной базы, в том числе микропроцессоров и матриц BGA | ||||||
| 202. | Реконструкция и техническое перевооружение в целях создания контрактного производства электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Калужский завод телеграфной аппаратуры", г. Калуга | 420 ---------- 210*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 2156 | увеличение объема выпуска продукции до 520 млн. рублей в год*(2) | ||||
| 203. | Техническое перевооружение и реконструкция производства и приборно-измерительной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Таганрогский научно-исследовательский институт связи", г. Таганрог, Ростовская область | 302 ---------- 151*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 1560 | внедрение современных технологий, создание комплекса для проведения контроля технологических параметров и испытаний. Увеличение объема выпуска продукции в 1,5 раза*(2) | ||||
| 204. | Техническое перевооружение и реконструкция производства испытательной базы нового поколения пьезоэлектрических генераторов, фильтров, резонаторов в открытом акционерном обществе "Завод "Метеор", г. Волжский, Волгоградская область | * | * | * | 2012 - 2013 | 3086 | производство полного функционального ряда массовых отечественных микроминиатюрных пьезоэлектрических генераторов, фильтров, резонаторов. Увеличение объема выпуска продукции до 230 - 250 млн. рублей в год | ||||||
| 205. | Реконструкция и техническое перевооружение научно-производственной и лабораторной базы в открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Радиоэлектроника" имени В.И. Шимко", г. Казань, Республика Татарстан | 400 ---------- 200*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 2080,5 | расширение производственных площадей выпуска приемо-передающих модулей на 2080,5 кв. м*(2) | ||||
| 206. | Техническое перевооружение в целях создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородское научно-производственное объединение имени М.В. Фрунзе", г. Нижний Новгород | 400 ---------- 200*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 1927 | организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,8 раза*(2) | ||||
| 207. | Техническое перевооружение в целях создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Омское производственное объединение "Иртыш", г. Омск | * | * | * | 2008 - 2009 | 2300 | организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 2,5 раза | ||||||
| 208. | Техническое перевооружение в целях создания промышленного производства многоканальных высоковольтных и низковольтных сильноточных источников вторичного электропитания и модуляторов СВЧ сигналов с высокой плотностью компоновки электронных компонентов для бортовой аппаратуры на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская область | 300 ---------- 150*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 1100 | производственный комплекс по серийному выпуску многоканальных высоковольтных (ВВИП), низковольтных (НВИП) сильноточных источников вторичного электропитания и модуляторов СВЧ сигналов с высокой плотностью компоновки электронных компонентов для бортовой аппаратуры с объемом производства до 500 комплектов блоков в год*(2) | |||||
| 209. | Техническое перевооружение в целях создания контрактного производства по изготовлению печатных плат выше 5 класса точности и унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Пензенское производственное объединение "Электроприбор", г. Пенза | 1000 ---------- 500*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 5990 | обеспечение изготовления печатных плат с новыми финишными покрытиями до 20000 кв. м в год, обеспечение изготовления унифицированных электронных модулей на печатных платах в количестве до 400 тыс. штук в год*(2) | ||||
| 210. | Техническое перевооружение и реконструкция производства электронных сверхвысокочастотных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород | 594,16 ---------- 297,08*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 2731,3 | внедрение современной технологии с соответствующим переоснащением высокопроизводительным оборудованием. Увеличение объема выпуска продукции в 1,5 раза*(2) | ||||
| 211. | Техническое перевооружение и реконструкция производства систем, комплексов и средств защиты информации на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт автоматики", г. Москва | 510 ---------- 255*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 1963,26 | обеспечение разработки, производства и аттестации средств комплексов и систем защиты информации. Увеличение объема выпуска продукции до 0,8 - 1,2 млрд. рублей в год*(2) | ||||
| 212. | Техническое перевооружение и реконструкция регионального производства базовых несущих конструкций (БНК) на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно-исследовательский институт "Градиент", г. Ростов-на-Дону | 300 ---------- 150*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 909 | обеспечение потребности организаций в базовых несущих конструкциях для всех видов радиоэлектронной аппаратуры. Увеличение объема выпуска продукции в 2 раза*(2) | ||||
| 213. | Реконструкция и техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы для создания комплексов средств автоматизации информационно-управляющих систем на федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С. Семенихина", г. Москва | 360 ---------- 180*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 4983,7 | обеспечение разработки, производства и аттестации комплексов средств автоматизации информационно-управляющих систем. Увеличение объема выпуска продукции до 0,52 млрд. рублей в год*(2) | ||||
| 214. | Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Калугаприбор", г. Калуга | 300 ---------- 150*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 5400 | организация контрактной сборки массовой продукции. Увеличение объема производства контрактной продукции в 1,8 раза*(2) | ||||
| 215. | Техническое перевооружение в целях создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи", г. Ростов-на-Дону | 300 ---------- 150*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 1100 | организация контрактной сборки массовой продукции. Увеличение объема производства контрактной продукции в 1,7 раза*(2) | ||||
| 216. | Техническое перевооружение в целях создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С. Семенихина", г. Москва | 300 ---------- 150*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 1980 | организация контрактной сборки массовой продукции. Увеличение объема производства контрактной продукции в 2,5 раза*(2) | ||||
| 217. | Техническое перевооружение в целях создания контрактного производства унифицированных электронных модулей в открытом акционерном обществе "Курский завод "Маяк", г. Курск | 300 ---------- 150*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 2490,5 | организация контрактной сборки массовой продукции. Увеличение объема производства контрактной продукции в 2,5 раза*(2) | ||||
| 218. | Техническое перевооружение в целях создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", г. Москва | 400 ---------- 200*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 2411 | организация контрактной сборки массовой продукции. Увеличение объема производства контрактной продукции в 1,8 раза*(2) | ||||
| 219. | Техническое перевооружение в целях создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт телевидения", г. Санкт-Петербург | 300 ---------- 150*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 1210 | организация контрактной сборки массовой продукции. Увеличение объема производства контрактной продукции в 1,7 раза*(2) | ||||
| 220. | Техническое перевооружение в целях создания мощностей по выпуску источников вторичного электропитания в открытом акционерном обществе "Специальное конструкторско-технологическое бюро по релейной технике", г. Великий Новгород | * | * | * | 2012 - 2013 | 1282 | увеличение объема производства в 1,5 раза | ||||||
| 221. | Реконструкция и техническое перевооружение производства и испытательной базы широкополосных сверхвысокочастотных устройств на федеральном государственном унитарном предприятии "Брянский электромеханический завод", г. Брянск | 400 ---------- 200*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 9586,6 | увеличение объема производства радиоэлектронных изделий на 170 млн. рублей*(2) | ||||
| 222. | Техническое перевооружение и реконструкция производственно-испытательных мощностей на федеральном государственном унитарном предприятии "Государственное конструкторское бюро аппаратно-программных средств "Связь", г. Ростов-на-Дону | * | * | 2012 | 1035 | увеличение объема выпуска продукции на 100 млн. рублей. Освоение серийного производства изделий "Орион-3М", "Орион-3СМ", "Анализ", "Страж-ПМ" и др. | |||||||
| 223. | Техническое перевооружение научно-технического и производственного комплексов по выпуску электровакуумных приборов сверхвысокочастотного диапазона в открытом акционерном обществе "Российская электроника", г. Москва | 800 ---------- 400*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 2285 | увеличение объема выпуска продукции до 1,6 млрд. рублей в год в открытом акционерном обществе "Владыкинский механический завод", снижение себестоимости продукции*(2) | |||||
| 224. | Техническое перевооружение и реконструкция регионального производства базовых несущих конструкций на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное предприятие "Полет", г. Нижний Новгород | * | * | * | 2008 - 2009 | 2010 | увеличение объема выпуска продукции в 2 раза | ||||||
| 225. | Техническое перевооружение производственной и лабораторно-испытательной базы для выпуска нового поколения электрических соединителей в открытом акционерном обществе "Карачевский завод "Электродеталь", г. Карачев, Брянская область | 480 ---------- 240*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 2628,6 | обеспечение выпуска конкурентоспособных высокотехнологичных электрических соединителей нового поколения. Увеличение объемов производства соединителей общепромышленного назначения в натуральном выражении до 2000000 штук в год*(2) | |||||
| 226. | Техническое перевооружение испытательного центра для обеспечения комплекса работ по корпусированию и испытаниям сложнофункциональных интегральных схем в открытом акционерном обществе "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт", г. Санкт-Петербург | * | * | * | 2012 - 2013 | 1145 | увеличение объема производства изделий до 1,9 млн. штук и 650 млн. рублей | ||||||
| 227. | Реконструкция и техническое перевооружение научно-технического комплекса по разработке и производству высокочастотных и сверхвысокочастотных акустоэлектронных и пьезокварцевых устройств в открытом акционерном обществе "Омский научно-исследовательский институт приборостроения", г. Омск | 700 ---------- 350*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 550 | увеличение объема выпуска продукции на 2 млрд. рублей*(2) | |||||
| 228. | Реконструкция и техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт "Экран", г. Самара | * | * | * | * | * | 2008 - 2011 | 879 | создание конкурентоспособных изделий мирового уровня. Разработка технологий двойного назначения. Увеличение объема производства в 1,5 раза | ||||
| 229. | Реконструкция и техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторной базы для комплексов специальной радиосвязи и управления на федеральном государственном унитарном предприятии "Омский научно-исследовательский институт приборостроения", г. Омск | 694.52 ---------- 349.91*(1) | * | * | * | * | * | * | 2010 - 2015 | 1300 | создание комплексов конкурентоспособной аппаратуры специальной радиосвязи и управления. Увеличение объема выпуска продукции в 1,5 раза*(2) | ||
| 230. | Техническое перевооружение производства сверхвысокочастотных и силовых транзисторов для бортовых радиолокационных комплексов в открытом акционерном обществе "Государственный завод "Пульсар", г. Москва | 280 ---------- 140*(1) | * | * | 2014 - 2015 | 219*(3) | дооснащение действующих производственных участков современным технологическим, высокопроизводительным оборудованием в обеспечение производства мощных СВЧ и силовых транзисторов для бортовых радиолокационных комплексов*(2) | ||||||
| 231. | Техническое перевооружение и реконструкция производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы по созданию модернизированной системы идентификации на федеральном государственном унитарном предприятии "Пензенское производственное объединение электронной вычислительной техники", г. Пенза | 557,08 ---------- 278,54*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 8488,4 | увеличение объема выпуска продукции до 421,5 млн. рублей*(2) | ||||
| 232. | Техническое перевооружение и реконструкция метрологической, испытательной базы и производства оптических изделий на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород | 594,16 ---------- 297,08*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 1365,3 | создание метрологической, испытательной базы для разработки и производства контрольно-измерительной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн. Увеличение объема производства квантовых рубидиевых стандартов частоты в 3 раза*(2) | ||||
| 233. | Техническое перевооружение и реконструкция стендовой и испытательной базы сложных радиоэлектронных систем и комплексов в открытом акционерном обществе "Производственное объединение "Азимут", г. Махачкала, Республика Дагестан | * | 100 -------- 50*(4) | 2012 | 362 | создание систем навигации посадки и радиолокации потеряло актуальность в связи с созданием в открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Лианозовский электромеханический завод", г. Москва, современных конкурентноспособных комплексов, которыми будут оснащены аэродромы России (1 образец установлен в г. Сочи) | |||||||
| 234. | Техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов", г. Томск | 570 ---------- 285*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 2000 | увеличение объема выпуска продукции до 3 - 3,5 млрд. рублей в год*(2) | ||||
| 235. | Техническое перевооружение и реконструкция производства сверхвысокочастотной техники на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное предприятие "Салют", г. Нижний Новгород | * | * | * | 2012 - 2013 | 2087,41 | увеличение объема производства монолитно-интегральных и гибридно-монолитных приборов и электронных компонентов (в том числе импортозамещающих) до 250 тыс. штук в год, электровакуумных и вакуумно-твердотельных модулей (в том числе на основе микроминиатюрных ламп бегущей волны) до 1 тыс. штук в год, унифицированных приемо-передающих модулей (в диапазоне частот 20 - 150 ГГц) до 1,5 тыс. штук в год | ||||||
| 236. | Реконструкция и техническое перевооружение для выпуска теплоотводящих керамических подложек для твердотельных сверхвысокочастотных устройств и IGBT-модулей в открытом акционерном обществе "Холдинговая компания "Новосибирский электровакуумный завод - Союз", г. Новосибирск | * | 120 -------- 60*(4) | 2012 | 2752 | расширение производства потеряло актуальность в связи с завершением на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно-производственный центр производственное объединение "Старт" имени М.В. Проценко" технического перевооружения производства металлокерамических корпусов микросборок и микросхем, ориентированного на выпуск аналогичной продукции | |||||||
| 237. | Техническое перевооружение и реконструкция опытного приборного производства в открытом акционерном обществе "Концерн "Океанприбор", г. Санкт-Петербург | 610,50 ---------- 305,25*(1) | * | * | * | 2012 - 2014 | 2032,5 | реконструкция опытного производства с учетом реализации новых технологий по изготовлению интегральных сборок, датчиков на пьезопленках и других*(2) | |||||
| 238. | Реконструкция и техническое перевооружение организации для совершенствования судовой электротехнической продукции в Федеральном научно-производственном центре открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Марс", г. Ульяновск | 832 ---------- 416*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 2450 | комплексное дооснащение базовых технологий производства электронных средств вычислительной техники в целях импортозамещения и повышения конкурентоспособности, создание экспериментально-лабораторного комплекса для проведения контроля технологических параметров и испытаний*(2) | ||||
| 239. | Реконструкция и техническое перевооружение опытно-экспериментального производства модулей функциональной микроэлектроники в открытом акционерном обществе "Концерн "Гранит-Электрон", г. Санкт-Петербург | 240 ---------- 120*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 800 | техническое перевооружение обеспечит внедрение современных технологий производства модулей функциональной микроэлектроники, рост объема производства функциональных модулей в 2 - 2,5 раза, расширение номенклатуры без существенных затрат на подготовку производства, промышленное освоение технологий влагозащиты и электроизоляции модулей*(2) | ||||
| 240. | Создание производственного комплекса для массового производства компонентов инерциальных микромеханических датчиков двойного назначения на открытом акционерном обществе "Концерн "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор", г. Санкт-Петербург | 1100 ---------- 550*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 3250 | создание участков по производству кремниевых датчиков, многослойных плат, сборке и корпусированию инерциальных микромеханических изделий*(2) | ||||
| 241. | Реконструкция инженерно-испытательного корпуса в открытом акционерном обществе "Концерн "Гранит-Электрон", г. Санкт-Петербург | 620 ---------- 310*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 2065 | внедрение современных базовых технологий производства электронных модулей цифровой и цифроаналоговой вычислительной техники, обеспечение разработки и производства базовых унифицированных электронных модулей. Увеличение объема поставок до 10000 штук в год*(2) | ||||
| 242. | Техническое перевооружение производственно-технологического комплекса по созданию оптико-электронной компонентной базы в открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики", г. Казань, Республика Татарстан | 460 ---------- 230*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 3272 | создание новой оптической элементной базы перспективных оптико-электронных систем, обеспечивающей предельно возможные технические параметры систем, в том числе комплексированных и многоспектральных оптических каналов*(2) | ||||
| 243. | Реконструкция корпуса 2Ж для создания лабораторно-аналитического центра инфракрасной фото- и оптоэлектроники на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное объединение "Орион", г. Москва | 700 ---------- 350*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 900 | создание единого аналитического центра по исследованиям и сертификации важнейших материалов и компонентов инфракрасной фотоэлектроники*(2) | ||||
| 244. | Техническое перевооружение производственно-технологического комплекса по созданию оптоэлектронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное объединение "Орион", г. Москва | 3681 ---------- 1840,5*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 8960 | создание производственно-технологического комплекса, который обеспечит промышленный выпуск изделий компонентной базы 2-го и 3-го поколений и оптико-электронных систем на их основе с параметрами, превышающими современный и прогнозируемый мировой уровень*(2) | ||||
| 245. | Реконструкция и техническое перевооружение стендово-экспериментальной базы в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт авиационного оборудования", г. Жуковский, Московская область | 420 ---------- 210*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 1500 | обеспечение возможности проведения испытаний опытных образцов источников электроэнергии, статических преобразователей и аппаратуры защиты и коммутации для проекта "полностью электрический самолет"*(2) | ||||
| 246. | Реконструкция и техническое перевооружение в целях создания межотраслевого центра по разработке и производству пассивных электронных компонентов на открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт развития соединителей и изделий специальной электроники", г. Казань | 356 ---------- 178*(1) | * | * | 2014 - 2015 | 1801,3*(3) | создание лабораторной и испытательной базы и производственных мощностей по разработке и выпуску перспективных электрических соединителей двойного назначения для радиоэлектронной, авиационной и ракетно-космической отрасли*(2) | ||||||
| 247. | Реконструкция и техническое перевооружение экспериментально-технологической базы для производства микроэлектронных изделий в открытом акционерном обществе "Казанское приборостроительное конструкторское бюро", г. Казань, Республика Татарстан | 370,08 ---------- 185,04*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 1556,8 | создание производственных мощностей по производству современной микроэлектронной аппаратуры*(2) | ||||
| 248. | Реконструкция и техническое перевооружение цеха по производству первичных преобразователей и вторичной аппаратуры в открытом акционерном обществе "Казанское приборостроительное конструкторское бюро", г. Казань, Республика Татарстан | 222,12 ---------- 111,06*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 2040,8 | производство конкурентоспособной продукции, обладающей современными показателями по надежности, быстродействию и массогабаритным характеристикам*(2) | ||||
| 249. | Реконструкция и техническое перевооружение производства электронных систем самолетного энергоснабжения в открытом акционерном обществе "Уфимское агрегатное производственное объединение", г. Уфа, Республика Башкортостан | 458 ---------- 229*(1) | * | * | 2014 - 2015 | 4860*(3) | серийное производство широкой номенклатуры статических преобразователей напряжения авиационных перспективных объектов (проект "полностью электрический самолет", истребитель 5-го поколения, программа развития гражданской авиационной техники)*(2) | ||||||
| 250. | Реконструкция и техническое перевооружение для создания электронного полигона по исследованиям, отработке и сертификации бортового авиационного радиоэлектронного оборудования в открытом акционерном обществе "Летно-исследовательский институт имени М.М. Громова", г. Жуковский, Московская область | 1070 ---------- 535*(1) | * | * | 2014 - 2015 | 2700*(3) | полигон позволит проводить работы с радиоэлектронной аппаратурой в условиях реального полета с учетом информационного взаимодействия с наземными и самолетными системами обеспечения воздушного движения в реальных условиях естественных и промышленных помех*(2) | ||||||
| 251. | Техническое перевооружение в целях создания производственного участка настройки быстродействующих бортовых цифровых устройств с тактовой частотой более 500 МГЦ в открытом акционерном обществе "Ставропольский радиозавод "Сигнал", г. Ставрополь | 300 ---------- 150*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 1300 | создание производственного участка настройки быстродействующих бортовых цифровых устройств с тактовой частотой более 500 МГЦ*(2) | |||||
| 252. | Техническое перевооружение в целях создания лабораторно-испытательной базы для изготовления и испытаний сверхширокополосных сверхвысокочастотных устройств сантиметрового диапазона с перекрытием по частоте более 3 октав в открытом акционерном обществе "Ставропольский радиозавод "Сигнал", г. Ставрополь | 380 ---------- 190*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 1785 | создание лабораторно-испытательной базы для изготовления и испытаний сверхширокополосных сверхвысокочастотных устройств сантиметрового диапазона с перекрытием по частоте более 3 октав*(2) | |||||
| 253. | Реконструкция и техническое перевооружение производства специализированных цифровых вычислительных машин в открытом акционерном обществе "Государственный Рязанский приборный завод", г. Рязань | 995,40 ---------- 497,7*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 5000 | освоение технологии производства перспективных многопроцессорных специализированных цифровых вычислительных машин, построенных на основе архитектуры единой коммутируемой вычислительной среды, с использованием принципов интегральной модульной авионики второго поколения, ориентированных на обеспечение принципиально нового уровня надежности и универсальности комплекса аппаратуры авионики*(2) | |||||
| 254. | Техническое перевооружение участка микроэлектроники в открытом акционерном обществе "Научно-производственное предприятие "Радиосвязь", г. Красноярск | * | * | * | * | 2013 - 2015 | 588 | увеличение объемов производства сверхвысокочастотной электронной компонентной базы на основе перспективных технологий низко-температурной керамики*(2) | |||||
| 255. | Техническое перевооружение для создания производства изделий микро- и наноэлектроники на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", г. Москва | * | * | * | 2014 - 2015 | 440*(3) | создание кластерного сверхвысоковакуумного технологического комплекса на основе бесшаблонного многолучевого электронного литографа для пластин диаметром до 200 мм для организации серийного производства гироскопов | ||||||
| 256. | Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Гамма", г. Москва | * | * | * | 2014 - 2015 | 925,1*(3) | создание проектно-конструкторского центра по проектированию цифровых и аналоговых микросхем и микроволновых и сверхвысокочастотных устройств, элементов вычислительной техники и специальной радиоэлектронной аппаратуры для решения задач информационной безопасности с участком контрактного производства | ||||||
| 257. | Техническое перевооружение научной, производственной и лабораторно-испытательной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Московское конструкторское бюро "Электрон", г. Москва | * | * | * | 2014 - 2015 | 990*(3) | создание многофункционального информационно аналитического центра, обеспечивающего возможность моделирования испытаний сложных информационно управляющих процессов, а также расширения и технического перевооружения производственной площадки предприятия в целях увеличения номенклатуры и глубины анализа радиоэлектронного авиационного оборудования | ||||||
| 258. | Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Пульсар", г. Москва, для создания базового центра системного проектирования | * | * | 2011 | 135,1 | создание межотраслевого базового центра системного проектирования | |||||||
| 259. | Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Информационные телекоммуникационные технологии", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра полного цикла проектирования и производства аппаратно-программных комплексов | * | * | 2008 | 1911 | создание базового центра системного проектирования производительностью 40 аппаратно-программных комплексов в год | |||||||
| 260. | Техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования микроэлектронных модулей нового поколения на основе технологии "систем в модуле" двойного и специального применения на открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт "Вектор", г. Санкт-Петербург | * | * | 2011 | 1324 | обеспечение проектирования, производства, испытаний, контроля, тестирования и сертификации перспективных изделий, включая климатические, механические, надежностные и другие специализированные испытания, а также сертификации выпускаемых изделий по требованиям различных категорий заказчиков и производств | |||||||
| 261. | Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Всероссийский научно-исследовательский институт радиотехники", г. Москва, для создания базового центра проектирования | * | * | 2011 | 422,8 | создание базового центра системного проектирования | |||||||
| 262. | Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон", г. Москва, для создания базового центра проектирования | * | * | * | 2010 - 2011 | 151,3 | создание базового центра системного проектирования | ||||||
| 263. | Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт автоматики", г. Москва, для создания базового центра проектирования | * | * | 2009 | 493 | создание базового центра системного проектирования | |||||||
| 264. | Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Восток", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования | * | * | 2011 | 599,85 | создание базового центра системного проектирования | |||||||
| 265. | Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн "Созвездие", г. Воронеж, для создания базового центра проектирования | * | * | * | 2010 - 2011 | 700 | создание базового центра системного проектирования | ||||||
| 266. | Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва, для создания базового центра проектирования | * | * | 2010 | 998 | создание базового центра системного проектирования площадью 998 кв. метров | |||||||
| 267. | Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи", г. Ростов-на-Дону, для создания базового центра проектирования | * | * | 2010 | 500 | создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. метров | |||||||
| 268. | Реконструкция и техническое перевооружение действующего предприятия федеральное государственное унитарное предприятие "Омский научно-исследовательский институт приборостроения", г. Омск (развитие базового центра системного проектирования сверхбольших интегральных схем) | * | * | 2008 | 500 | создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. метров | |||||||
| 269. | Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Российский институт радионавигации и времени", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования | * | * | 2011 | 490 | создание базового центра системного проектирования площадью 490 кв. метров | |||||||
| 270. | Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Центральный научно-исследовательский институт "Циклон", г. Москва, для создания базового центра проектирования | 80 ---------- 80*(4) | 80 -------- 80*(4) | 2010 | 800 | создание базового центра системного проектирования площадью 800 кв. метров | |||||||
| 271. | Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Государственный завод "Пульсар", г. Москва, для создания базового центра проектирования | * | * | 2011 | 648 | создание базового центра системного проектирования площадью 648 кв. метров мощностью 360 тыс. штук | |||||||
| 272. | Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт "Аргон", г. Москва, для создания базового центра проектирования | * | * | 2008 | 532 | создание базового центра системного проектирования | |||||||
| 273. | Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества " "Научно-производственное объединение "Орион", г. Москва, для создания базового центра проектирования | 33,53 ---------- 15*(1) | * | * | 2014 - 2015 | 500 | создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. метров*(2) | ||||||
| 274. | Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования | * | * | 2009 | 500 | создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. метров | |||||||
| 275. | Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт телевидения", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования | * | * | 2008 | 600 | создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв. метров | |||||||
| 276. | Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн "Океанприбор", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования | * | * | 2011 | 600 | создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв. метров | |||||||
| 277. | Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород, для создания базового центра проектирования | * | * | 2008 | 1097,8 | создание базового центра системного проектирования | |||||||
| 278. | Техническое перевооружение и реконструкция открытого акционерного общества "Корпорация "Тактическое ракетное вооружение", г. Королев, Московская область, для создания базового центра системного проектирования | * | * | 2008 | 650 | создание базового центра системного проектирования площадью 650 кв. метров | |||||||
| 279. | Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт "Экран", г. Самара, для создания базового центра проектирования | * | * | 2011 | 1134,5 | создание базового центра системного проектирования площадью 1134,5 кв. метров мощностью 2000 штук | |||||||
| 280. | Открытое акционерное общество "Государственный оптический институт имени С.И. Вавилова", г. Санкт-Петербург | ||||||||||||
| Создание базового центра проектирования на базе федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственная корпорация "Государственный оптический институт имени С.И. Вавилова", г. Санкт-Петербург | 500 ---------- 250*(1) | * | * | * | 2012 - 2014 | 2000 | создание базового центра по проектированию, моделированию, изготовлению, тестированию и сертификации перспективных оптических систем и оптико-электронного оборудования*(2) | ||||||
| 281. | Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн ПВО "Алмаз-Антей", г. Москва, для создания базового центра проектирования систем цифровой обработки, твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей | 2200 ---------- 1100*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 6800 | повышение качества и надежности систем цифровой обработки, систем твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей активных фазированных системных решеток С-диапазона для перспективных средств связи, управления воздушным движением и формирования сигналов на кристалле для радиолокационных станций различного применения*(2) | ||||
| 282. | Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра проектирования в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж | 500 ---------- 250*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 865,5 | создание базового центра проектирования сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" для нового поколения аппаратуры и мобильных телекоммуникационных систем, создание конкурентоспособных изделий для нового поколения мобильных телекоммуникационных систем гражданского и двойного назначения*(2) | ||||
| 283. | Техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования (дизайн-центра) радиоэлектронных модулей и узлов стационарных и мобильных средств автоматизации в открытом акционерном обществе "Научно-производственное предприятие "Рубин", г. Пенза | * | * | 2011 | 1852 | обеспечение производства комплексных средств автоматизации для управления автомобильным и железнодорожным транспортом, объектами топливно-энергетического комплекса | |||||||
| 284. | Создание базового центра системного проектирования унифицированных электронных модулей на основе современной электронной компонентной базы в открытом акционерном обществе "Челябинский радиозавод "Полет", г. Челябинск | * | * | * | 2010 - 2011 | 790 | обеспечение возможности изготовления разработанных электронных модулей по современным технологиям, повышение надежности и качества и ускорение разработки конкурентоспособных изделий мирового уровня, разработка технологий двойного назначения | ||||||
| 285. | Создание базового центра системного проектирования унифицированных электронных модулей на основе современной электронной компонентной базы в открытом акционерном обществе "Рыбинский завод приборостроения", г. Рыбинск, Ярославская область | * | * | 2010 | 750 | обеспечение возможности изготовления разработанных электронных модулей по современным технологиям, разработка технологий двойного назначения мощностью 5 модулей в год | |||||||
| 286. | Техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования микроэлектронных модулей нового поколения на основе технологии "система в модуле" двойного и специального применения в открытом акционерном обществе "Калужский научно-исследовательский институт телемеханических устройств", г. Калуга | * | * | 2011 | 640 | обеспечение проектирования, производства, испытаний, контроля, тестирования и сертификации перспективных изделий, включая климатические, механические, надежностные и другие специализированные испытания, а также сертификации выпускаемых изделий по требованиям различных категорий заказчиков и производств | |||||||
| 287. | Создание базового центра системного проектирования микроэлектронных модулей нового поколения на основе технологии "система в модуле" двойного и специального применения в открытом акционерном обществе "Московский научно-исследовательский институт связи", г. Москва | 30 ---------- 30*(4) | 30 -------- 30*(4) | 2010 | 260 | обеспечение проектирования, производства, испытаний, контроля, тестирования и сертификации перспективных изделий, включая климатические, механические, надежностные и другие специализированные испытания, а также сертификации выпускаемых изделий по требованиям различных категорий заказчиков и производств | |||||||
| 288. | Расширение базового центра системного проектирования по проектированию радиоэлектронной аппаратуры на базе сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" в открытом акционерном обществе "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва | 317,56 ---------- 158,78*(1) | * | * | * | 2012 - 2014 | 881 | расширение возможностей и объемов базового центра системного проектирования за счет использования передовых технологий разработки радиоэлектронных изделий. Ускорение процесса получения готовых проектов не менее чем в 2 раза*(2) | |||||
| 289. | Техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт "Кулон", г. Москва | * | * | 2011 | 773,5 | обеспечение проектирования, производства высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей как ключевой технологии достижения высоких технических характеристик разрабатываемых и производимых изделий. Планируемый объем выпуска многокристальных модулей до 3,5 тыс. штук в год | |||||||
| 290. | Создание базового центра системного проектирования высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей в открытом акционерном обществе "Конструкторское бюро "Луч", г. Рыбинск, Ярославская область | * | * | * | 2010 - 2011 | 350 | обеспечение проектирования, производства высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей как ключевой технологии достижения высоких технических характеристик разрабатываемых и производимых изделий. Планируемый объем выпуска многокристальных модулей до 3,5 тыс. штук | ||||||
| 291. | Техническое перевооружение для обеспечения интеграции базовых центров системного проектирования в сквозную корпоративную систему разработки радиоэлектронных комплексов в открытом акционерном обществе "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва | 500 ---------- 250*(1) | * | * | 2014 - 2015 | 4580*(3) | создание базового центра проектирования и расширение возможностей и объемов разрабатываемой номенклатуры изделий за счет тесной интеграции разнодисциплинарных базовых центров системного проектирования радиоэлектронных изделий, существенное снижение времени и себестоимости комплексных разработок высокопроизводительных сверхбольших интегральных схем, микропроцессорной техники, матричных корпусов, в том числе для сверхбольших интегральных схем с большим количеством выводов, контроллеров перспективных периферийных интерфейсов для разработки на их базе перспективных сложнофункциональных блоков, радиоэлектронной аппаратуры, универсальных цифровых устройств, комплексов, систем и средств связи двойного и гражданского назначения*(2) | ||||||
| 292. | Техническое перевооружение для создания базового центра проектирования универсальных микропроцессоров, систем на кристалле, цифровых приборов обработки сигналов и других цифровых устройств, комплексов и систем на базе современных лицензионных систем автоматизированного проектирования и технических средств открытого акционерного общества "Институт электронных управляющих машин" им. И.С. Брука, г. Москва | 450 ---------- 265*(1) | 80 -------- 80*(4) | * | * | * | 2010 - 2014 | 1530 | создание базового центра разработки высокопроизводительной микропроцессорной техники двойного назначения, оснащенного современной технологией разработки многоядерных систем на кристалле, матричных корпусов для сверхбольших интегральных схем с большим количеством выводов, контроллеров перспективных периферийных интерфейсов для разработки на их базе высокопроизводительных вычислительных систем широкого применения*(2) | ||||
| 293. | Техническое перевооружение и реконструкция базового регионального научно-технологического центра по микросистемотехнике открытого акционерного общества "Омский научно-исследовательский институт приборостроения", г. Омск | 811,58 ---------- 405,79*(1) | * | * | * | 2012 - 2014 | 414,5 | ускорение проектирования и отработки технологии производства перспективных устройств микросистемотехники для комплектования аппаратуры управления, средств телекоммуникации и связи, высокоточного оружия, робототехнических комплексов, мониторинга окружающей среды, зданий и сооружений, систем трубопроводов, водо- и газоснабжения, цифровых и аналоговых устройств средств контроля, учета и дистанционного управления подачей энергоресурсов. Ожидаемый экономический эффект составит 1500 млн. рублей*(2) | |||||
| 294. | Реконструкция и техническое перевооружение центра системного проектирования и производства радиоэлектронных средств спутниковой связи открытого акционерного общества "Научно-производственный центр "Вигстар", г. Москва | 490 ---------- 245*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 1701,8 | создание конкурентоспособных изделий мирового уровня двойного назначения для комплексов аппаратуры спутниковой связи*(2) | ||||
| 295. | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз", г. Саратов | ||||||||||||
| Реконструкция и техническое перевооружение на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное предприятие "Алмаз", г. Саратов, в целях создания дизайн-центра и производства сверхвысокочастотных и силовых устройств | * | * | * | 2012 - 2013 | 3221,35 | создание дизайн-центра площадью 3221,35 кв. метра и увеличение выпуска продукции на 500 млн. рублей в год | |||||||
| 296. | Техническое перевооружение для создания центра проектирования перспективной электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт электронной техники", г. Воронеж | * | * | 2008 | 189 | создание конкурентоспособной технологии автоматизированного проектирования кристаллов сверхбольших интегральных схем и систем на кристалле с проектными нормами 0,18 - 0,13 мкм и степенью интеграции до 100 млн. вентилей на кристалле, что позволит обеспечить ускоренную разработку сложнофункциональных блоков, сверхбольших интегральных схем и систем на кристалле, соответствующих по техническим характеристикам современным мировым образцам | |||||||
| 297. | Создание отраслевого центра системного уровня проектирования интеллектуальных датчиков различного назначения на открытом акционерном обществе "Концерн "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор", г. Санкт-Петербург | 340 ---------- 170*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 303 | организация современного центра системного уровня проектирования на основе отечественной электронной компонентной базы: микромеханических датчиков; датчиков акустического давления; датчиков угловых перемещений и других*(2) | ||||
| 298. | Создание отраслевого центра проектирования сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" на открытом акционерном обществе "Концерн "Моринформсистема-Агат", г. Москва | 360 ---------- 180*(1) | * | * | * | 2012 - 2015 | 609 | создание отраслевого центра проектирования (дизайн-центра) сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" для обеспечения новейшей цифровой техникой приборостроительных организаций судостроительной отрасли*(2) | |||||
| 299. | Техническое перевооружение базового центра проектирования и производства специальных многокристальных микросистем и микромодулей с использованием технологии 3D TSV в открытом акционерном обществе "Российская электроника", г. Москва | 300 ---------- 150*(1) | * | * | 2013 - 2014 | 600 | создание базового центра проектирования площадью 600 кв. метров*(2) | ||||||
| 300. | Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра проектирования составных частей, компонентов и приемо-передающих модулей радиолокационных систем с антенно-фидерными решетками в открытом акционерном обществе "Корпорация "Фазотрон - Научно-исследовательский институт радиостроения", г. Москва | * | * | * | 2014 - 2015 | 6000*(3) | создание базового центра проектирования площадью 6000 кв. метров*(2) | ||||||
| 301. | Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Российская электроника", г. Москва (включая приобретение программно-технических средств), в целях создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов | * | * | * | * | 2008 - 2010 | 375,5 | создание межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов с объемом производства не менее 1200 штук в год | |||||
| Всего по Минпромторгу России | * | * | * | * | * | * | * | * | * | ||||
| 2. Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | |||||||||||||
| 302. | Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", г. Нижний Новгород | * | * | * | * | * | 2010 - 2013 | 267 | создание технологического комплекса для производства сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на широкозонных полупроводниковых материалах | ||||
| 303. | Техническое перевооружение производства сильноточных электронных коммутирующих элементов на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова", г. Москва | 160 ---------- 80*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 616,7 | техническое перевооружение производств сильноточных электронных коммутирующих элементов*(2) | |||||
| 304. | Техническое перевооружение для организации высокотехнологичного производства металлокерамических корпусов микросборок и микросхем на федеральном государственном унитарном предприятии федеральном научно-производственном центре "Производственное объединение "Старт" имени М.В. Проценко", г. Заречный, Пензенская область | 214 ---------- 107*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 850 | техническое перевооружение производства металлокерамических корпусов микросборок и микросхем*(2) | |||||
| 305. | Техническое перевооружение участков производства коммутирующих элементов нового поколения с лазерным поджигом на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова", г. Москва | 130 ---------- 65*(1) | * | * | 2014 - 2015 | 509,3*(3) | техническое перевооружение участков производства коммутирующих элементов нового поколения с лазерным поджигом*(2) | ||||||
| 306. | Техническое перевооружение в целях производства радиационно стойких изделий микроэлектроники с применением методов нанотехнологий на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова", г. Москва | 400 ---------- 200*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 2148,1 | создание производственно-технологического участка изготовления изделий микроэлектроники для систем автоматики специзделий*(2) | ||||
| 307. | Техническое перевооружение в целях производства быстродействующих радиационно стойких монолитных интегральных схем на федеральном государственном унитарном предприятии Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", г. Нижний Новгород | 350 ---------- 175*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 2500 | создание производственно-технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы*(2) | |||||
| 308. | Техническое перевооружение в целях производства радиационно стойких изделий микросистемотехники на федеральном государственном унитарном предприятии Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", г. Нижний Новгород | 536 ---------- 268*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 1100 | создание производственно-технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы*(2) | |||||
| 309. | Техническое перевооружение в целях производства радиационно стойких изделий микроэлектроники на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики", г. Саров, Нижегородская область | 1720 ---------- 860*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 3287 | техническое перевооружение технологических участков предприятия по изготовлению радиационно стойких изделий микроэлектроники обеспечит создание чистых помещений с высокотехнологичным оборудованием, что позволит внедрить в производство более 120 новых технологических процессов по изготовлению принципиально новых радиационно стойких высокофункциональных изделий микроэлектроники и микросистем для приборов автоматики*(2) | ||||
| 310. | Реконструкция дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", г. Нижний Новгород | * | * | * | * | 2008 - 2011 | 2976 | реконструкция дизайн-центра мощностью 1 млн. транзисторов в год | |||||
| 311. | Техническое перевооружение дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова", г. Москва | 240 ---------- 120*(1) | * | * | * | 2012 - 2014 | 506 | техническое перевооружение дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы позволит обеспечить разработку и автоматизированную верификацию специальных прототипов разрабатываемых сверхбольших интегральных схем объемом до нескольких десятков тысяч логических элементов, а также верификацию в составе аппаратуры разработанных сверхбольших интегральных схем объемом от нескольких сотен тысяч до нескольких миллионов эквивалентных вентилей*(2) | |||||
| 312. | Техническое перевооружение дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики", г. Саров, Нижегородская область | 120 ---------- 60*(1) | * | * | * | 2012 - 2014 | 330 | техническое перевооружение дизайн-центра позволит создать высокотехнологичный кластер по разработке принципиально новых радиационно стойких электронных схем и сверхбольших интегральных схем на основе современных базовых матричных кристаллов, их аналого-цифровых преобразователей, перестраиваемых микросхем и запоминающих устройств большой емкости, что позволит выполнять до 500 логических проектов в год: радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на основе полузаказных микросхем; сложнофункциональных блоков для сверхбольших интегральных схем "система на кристалле"; микросхем для КМОП и КМОП-КНД-технологий*(2) | |||||
| 313. | Техническое перевооружение дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский Федеральный Ядерный Центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина", г. Снежинск, Челябинская область | 180 ---------- 90*(1) | * | * | * | * | 2012 - 2015 | 877,32 | техническое перевооружение дизайн-центра позволит создать сквозную систему автоматизированного проектирования модулей "система в корпусе" (SIP-модулей) с сокращением на 30 процентов продолжительности цикла разработки, испытаний и изготовления SIP-модулей, расширить номенклатуру разрабатываемых приборов с использованием указанной технологии до 12 наименований и моделировать тепловые и механические процессы, происходящие в SIP-модулях, с учетом внешних воздействующих факторов*(2) | ||||
| Всего по Государственной по атомной энергии корпорации "Росатом" | * | * | * | * | * | * | * | * | * | ||||
| 3. Роскосмос | |||||||||||||
| 314. | Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем", г. Москва, в целях создания производства многокристальных систем в корпусе микро- и радиоэлектронных модулей, в том числе на основе устройств микросистемной техники | 320 ---------- 160*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 1230 | переоснащенное производство многокристальных систем в корпусе, микро- и радиоэлектронных модулей, в том числе на основе устройств микросистемной техники; оснащенное отраслевое автоматизированное хранилище производимых и приобретаемых электронных компонентов со встроенной системой мониторинга и прогнозирования состояния хранимой продукции*(2) | |||||
| 315. | Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Научно-исследовательский институт точных приборов", г. Москва, для создания производства модулей сверхвысокочастотных устройств для особо жестких условий эксплуатации | 320 ---------- 160*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 1313,2 | переоснащение производства по выпуску параметрического ряда модулей сверхвысокочастотных устройств, узлов и крупноблочных радиоэлектронных функциональных модулей приемо-передающей аппаратуры. Реализация указанных мероприятий обеспечивает сокращение сроков изготовления изделий радиолокационной техники и техники связи в 2 - 3 раза, расширение номенклатуры сверхвысокочастотных изделий в 1,5 раза*(2) | |||||
| 316. | Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва", г. Железногорск, Красноярский край, в целях создания производственной линии для изготовления облегченных сверхвысокочастотных волноводов миллиметрового диапазона | 160 ---------- 80*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 1389,9 | переоснащение производственной линии для выпуска облегченных сверхвысокочастотных волноводов, увеличение производства сверхвысокочастотных волноводов с низким уровнем потерь и улучшенными массовыми характеристиками, оснащение отраслевого автоматизированного хранилища для модулей радиоэлектронных и навигационных систем со встроенной системой мониторинга и прогнозирования состояния хранимой продукции*(2) | |||||
| 317. | Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное объединение автоматики имени академика Н.А. Семихатова", г. Екатеринбург, для создания производства электромеханических и радиоэлектронных компонентов микромодульных средств автономного управления и контроля | 200 ---------- 100*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 665 | дооснащение производства электромеханических и радиоэлектронных компонентов для микромодульных средств автономного управления и контроля, увеличение производства изделий бортовой и промышленной радиоэлектроники на 35 процентов и более, оснащение отраслевого автоматизированного хранилища для радиоэлектронных модулей со встроенной системой мониторинга и прогнозирования состояния хранимой продукции*(2) | |||||
| 318. | Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Объединенная ракетно-космическая корпорация", г. Москва, для создания отраслевой лаборатории контроля стойкости электронной компонентной базы радиоэлектронной аппаратуры к дестабилизирующим факторам космического пространства | 200 ---------- 100*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 690 | создание межотраслевой лаборатории контроля стойкости электронной компонентной базы для специальной радиоэлектронной аппаратуры в условиях космического пространства, что обеспечит внедрение технологических процессов прямого (в том числе неразрушающего) контроля стойкости электронной компонентной базы и экспериментально-аналитического прогноза деградации характеристик электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры, определение характеристик стойкости к условиям открытого космического пространства, увеличение сроков активного функционирования аппаратуры до 20 лет*(2) | |||||
| 319. | Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Научно-производственный центр "Полюс", г. Томск, для технического перевооружения действующего производства | 200 ---------- 100*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 2534,3 | перевооружение производственных линий для изготовления встроенных модульных пассивных радиоэлементов для систем бортовой и промышленной радиоэлектроники и вторичных источников питания с совмещенными линиями передачи данных и электропитания, расширение номенклатуры и увеличение производства встроенных вторичных источников питания с совмещенными линиями передачи данных и электропитания для средств бортовой и промышленной электроники на 70 процентов и более *(2) | |||||
| 320. | Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем", г. Москва, для создания базового центра проектирования | * | * | * | 2012 - 2013 | 500 | создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. метров | ||||||
| 321. | Реконструкция и техническое перевооружение для создания отраслевого центра автоматизированного проектирования в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт точных приборов", г. Москва | * | * | * | * | * | * | 2008 - 2012 | 500 | создание отраслевого центра автоматизированного проектирования и функциональной поддержки процессов изготовления и эксплуатации параметрических рядов сверхвысокочастотных модулей унифицированных сверхвысокочастотных трактов, базовых несущих конструкций активных фазированных антенных решеток, радиолокационных и связных модульных приборов площадью 500 кв. метров | |||
| 322. | Реконструкция и техническое перевооружение для создания центра проектирования унифицированных микроэлектронных датчиков для работы в особо жестких условиях эксплуатации в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт физических измерений", г. Пенза | 280 ---------- 140*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 701 | создание центра проектирования унифицированных микроэлектронных датчиков площадью 701 кв. метр для проектирования унифицированных полупроводниковых микродатчиков и преобразователей физических величин в системах управления, контроля и диагностики динамических объектов*(2) | |||||
| 323. | Реконструкция и техническое перевооружение для создания центра проектирования матричных преобразователей и микроэлектронных сигнальных процессоров на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственный центр автоматики и приборостроения имени академика Н.А. Пилюгина", г. Москва | 200 ---------- 100*(1) | * | * | 2013 - 2014 | 220 | создание центра системного проектирования матричных преобразователей и микроэлектронных сигнальных процессоров высокоточных навигационных приборов бортового и промышленного назначения с использованием прецизионного высокотехнологичного оборудования для повышения качества проектирования, изготовления и надежности аппаратуры систем управления, уменьшения габаритно-массовых характеристик изделий, сокращение стоимости аппаратуры и др.*(2) | ||||||
| 324. | Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования и технического перевооружения действующего производства в открытом акционерном обществе "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва", г. Железногорск, Красноярский край | 148 ---------- 74*(1) | * | * | * | 2013 - 2015 | 603,2 | создание базового центра сквозного системного проектирования и функциональной поддержки в процессе эксплуатации аппаратуры модульных средств связи и навигации для бортовых и промышленных систем площадью 603,2 кв. метра*(2) | |||||
| Всего по Роскосмосу | * | * | * | * | * | * | * | * | * | ||||
| 4. Минобрнауки России | |||||||||||||
| 325. | Техническое перевооружение государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный институт электронной техники" (технический университет), г. Москва, для создания базового центра проектирования | * | * | * | 2009 - 2010 | 515,1 | создание базового центра системного проектирования площадью 515,1 кв. метра | ||||||
| 326. | Реконструкция и техническое перевооружение государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики" (технический университет), г. Москва, для создания базового центра проектирования | * | * | 2008 | 500 | создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. метров | |||||||
| 327. | Техническое перевооружение федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет", г. Томск, для создания базового центра проектирования | * | * | 2012 | 400 | создание базового центра системного проектирования площадью 400 кв. метров | |||||||
| 328. | Техническое перевооружение федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" для создания центра базового проектирования, Московская область, Дмитровский район, пос. Орево, площадка Дмитровского филиала | * | * | 2013 | 669 | создание базового центра системного проектирования площадью 669 кв. метров | |||||||
| Всего по Минобрнауки России | * | * | * | * | * | * | |||||||
| 5. ФСТЭК России | |||||||||||||
| 329. | Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Производственное объединение "Октябрь", г. Каменск-Уральский Свердловской области | 836 ---------- 418*(1) | * | * | * | * | * | 2011 - 2015 | 2000 | создание новых производственных мощностей по выпуску оптоволоконных соединителей изделий микромеханики*(2) | |||
| Всего по ФСТЭК России | * | * | * | * | * | * | |||||||
| Всего по разделу II | * | * | * | * | * | * | * | * | * | ||||
_____________________________
*(1) Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.
*(2) Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.
*(3) Мощность объекта может быть уточнена на стадии разработки проекта.
*(4) Объемы скорректированы и полностью возвращены в бюджет.
Примечания: 1. Срок получения предусмотренных настоящим приложением результатов работ соответствует году окончания их финансирования.
2. В числителе указывается общая стоимость работ, в знаменателе - размер финансирования за счет средств федерального бюджета.
Приложение № 3
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной базы
и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы
(в редакции постановления Правительства РФ
от 19 августа 2014 г. № 829)
Распределение объемов финансирования за счет средств федерального бюджета по государственным заказчикам федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы
| (млн. рублей, в ценах соответствующих лет) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2008 - 2015 годы - всего | В том числе | ||||||||
| 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год | ||
| Всего по Программе | 102752,5207 | 5372,7 | 5772,01 | 5400 | 12963,38 | 25180 | 18400 | 15140,5487 | 14523,882 |
| из них: | |||||||||
| Минпромторг России | 89545,079 | 4757,7 | 5157,21 | 4952,62 | 11940 | 21953,26 | 15376,5 | 12909,332 | 12498,457 |
| Роскосмос | 5894,5 | 290 | 320 | 168 | 430 | 1776 | 1393 | 764 | 753,5 |
| Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | 5726,3667 | 240 | 246,5 | 179,38 | 400 | 1124,12 | 1235 | 1228,8167 | 1072,55 |
| Минобрнауки России | 1168,575 | 85 | 48,3 | 100 | 160 | 260 | 235,5 | 144,4 | 135,375 |
| ФСТЭК России | 418 | - | - | - | 33,38 | 66,62 | 160 | 94 | 64 |
| Капитальные вложения - всего | 40891,295 | 1392,7 | 1530,71 | 1763 | 3033,38 | 10155,88 | 8769,22 | 7103,148 | 7143,257 |
| из них: | |||||||||
| Минпромторг России | 36140,295 | 1267,7 | 1412,71 | 1695 | 2870 | 9233,26 | 7351,22 | 6049,648 | 6260,757 |
| Роскосмос | 1838 | 60 | 60 | 18 | 80 | 486 | 595 | 279,5 | 259,5 |
| Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | 2223 | 40 | 34 | 20 | 50 | 270 | 570 | 680 | 559 |
| Минобрнауки России | 272 | 25 | 24 | 30 | - | 100 | 93 | - | - |
| ФСТЭК России | 418 | - | - | - | 33,38 | 66,62 | 160 | 94 | 64 |
| Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - всего | 61861,2257 | 3980 | 4241,3 | 3637 | 9930 | 15024,12 | 9630,78 | 8037,4007 | 7380,625 |
| из них: | |||||||||
| Минпромторг России | 53404,784 | 3490 | 3744,5 | 3257,62 | 9070 | 12720 | 8025,28 | 6859,684 | 6237,7 |
| Роскосмос | 4056,5 | 230 | 260 | 150 | 350 | 1290 | 798 | 484,5 | 494 |
| Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | 3503,3667 | 200 | 212,5 | 159,38 | 350 | 854,12 | 665 | 548,8167 | 513,55 |
| Минобрнауки России | 896,575 | 60 | 24,3 | 70 | 160 | 160 | 142,5 | 144,4 | 135,375 |
Приложение № 4
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной базы
и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы
(в редакции постановления Правительства РФ
от 19 августа 2014 г. № 829)
Объемы финансирования федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы за счет средств федерального бюджета и внебюджетных источников
| (млн. рублей, в ценах соответствующих лет) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2008 - 2015 годы - всего | В том числе | ||||||||
| 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год | ||
| Всего по Программе | 172103,3593 | 7903,837 | 8478,112 | 8267,417 | 20961,76 | 42829,41 | 31985,41 | 26216,8344 | 25460,5789 |
| в том числе: | |||||||||
| федеральный бюджет | 102752,5207 | 5372,7 | 5772,01 | 5400 | 12963,38 | 25180 | 18400 | 15140,5487 | 14523,882 |
| внебюджетные средства | 69350,8386 | 2531,137 | 2706,102 | 2867,417 | 7998,38 | 17649,41 | 13585,41 | 11076,2857 | 10936,6969 |
| Капитальные вложения - всего | 78385,59 | 1868,71 | 1879,48 | 2223,3 | 6066,76 | 20311,76 | 17539,24 | 14146,685 | 14349,655 |
| в том числе: | |||||||||
| федеральный бюджет | 40891,295 | 1392,7 | 1530,71 | 1763 | 3033,38 | 10155,88 | 8769,22 | 7103,148 | 7143,257 |
| внебюджетные средства | 37494,295 | 476,01 | 348,77 | 460,3 | 3033,38 | 10155,88 | 8770,02 | 7043,537 | 7206,398 |
| Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - всего | 93717,7693 | 6035,127 | 6598,632 | 6044,117 | 14895 | 22517,65 | 14446,17 | 12070,1494 | 11110,9239 |
| в том числе: | |||||||||
| федеральный бюджет | 61861,2257 | 3980 | 4241,3 | 3637 | 9930 | 15024,12 | 9630,78 | 8037,4007 | 7380,625 |
| внебюджетные средства | 31856,5436 | 2055,127 | 2357,332 | 2407,117 | 4965 | 7493,53 | 4815,39 | 4032,7487 | 3730,2989 |
".
6. В приложении № 5 к указанной Программе:
а) в абзаце пятнадцатом цифры "175600,705" заменить цифрами "172099,8293", цифры "104656,296" заменить цифрами "102752,5207", цифры "70944,409" заменить цифрами "69347,3086", цифры "66746,5" заменить цифрами "68686,2", цифры "125754,3" заменить цифрами "126802,6";
б) в абзаце восемнадцатом цифры "1,57" заменить цифрами "1,6";
в) таблицы 1 - 3 изложить в следующей редакции:
"Таблица 1
Исходные данные, принятые для расчета коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы
| (в ценах соответствующих лет, млн. рублей) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Показатели | 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год | 2016 год | 2017 год | За расчетный период |
| Условно-переменная часть текущих издержек производства (себестоимости) (процентов) | 62 | 62 | 62 | 62 | 62 | 62 | 62 | 62 | 62 | 62 | - |
| Годовой объем реализуемой продукции отрасли (объем продаж) | 58000 | 70000 | 90000 | 110000 | 170000 | 210000 | 240000 | 270000 | 340000 | 420000 | - |
| Инвестиции из всех источников финансирования - всего по Программе | 7903,837 | 8478,112 | 8267,417 | 20961,76 | 42829,41 | 31985,41 | 26216,8344 | 25460,5789 | - | - | 172103,3593 |
| в том числе: | |||||||||||
| средства федерального бюджета на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, капитальные вложения и прочие нужды | 5372,7 | 5772,01 | 5400 | 12963,38 | 25180 | 18400 | 15140,5487 | 14523,882 | - | - | 102752,5207 |
| из них капитальные вложения | 1392,7 | 1530,71 | 1763 | 3033,38 | 10155,88 | 8769,22 | 7103,148 | 7143,257 | - | - | 40891,295 |
| внебюджетные средства на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения (собственные, заемные и др.) | 2531,137 | 2706,102 | 2867,417 | 7998,38 | 17649,41 | 13585,41 | 11076,2857 | 10936,6969 | - | - | 69350,8386 |
| налогооблагаемая база налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно-производственных фондов отрасли по остаточной стоимости) | 33000 | 34500 | 36000 | 38000 | 41000 | 46000 | 54000 | 60000 | 61000 | 62000 | - |
| Рентабельность реализованной продукции (процентов) | 10 | 10 | 12 | 14 | 16 | 18 | 20 | 20 | 20 | 20 | - |
| Амортизационные отчисления (процентов себестоимости) | 3,5 | 3,8 | 4 | 4,5 | 5 | 5,5 | 6 | 6,5 | 7 | 7,5 | - |
| Материалы (процентов себестоимости) | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | - |
| Фонд оплаты труда (процентов себестоимости) | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | - |
| Налог на имущество организаций (процентов) | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | - |
| Налог на прибыль организаций (процентов) | 24 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | - |
| Налог на доходы физических лиц (процентов) | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | - |
| Страховые взносы (процентов) | 26 | 26 | 26 | 34 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | - |
| Налог на добавленную стоимость (процентов) | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | - |
| Норма дисконта (средняя за расчетный период) (процентов) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0,1 |
Таблица 2
Расчет коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы
| (в ценах соответствующих лет, млн. рублей) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Наименование показателей | Расчетный период | За расчетный период | |||||||||
| 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год | 2016 год | 2017 год | ||
| номер шага (m) | |||||||||||
| 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | ||
| Операционная и инвестиционная деятельность (коммерческая эффективность) | |||||||||||
| Годовой объем реализованной продукции отрасли без налога на добавленную стоимость | 58000 | 70000 | 90000 | 110000 | 170000 | 210000 | 240000 | 270000 | 340000 | 420000 | - |
| Себестоимость годового объема реализованной продукции отрасли | 52727 | 63636 | 80357 | 96491 | 146552 | 177966 | 200000 | 225000 | 283333 | 350000 | - |
| Прибыль от реализации продукции | 5273 | 6364 | 9643 | 13509 | 23448 | 32034 | 40000 | 45000 | 56667 | 70000 | - |
| Налогооблагаемая база налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно- производственных фондов отрасли по остаточной стоимости) | 33000 | 34500 | 36000 | 38000 | 41000 | 46000 | 54000 | 60000 | 61000 | 62000 | - |
| Налог на имущество организаций | 660 | 690 | 720 | 760 | 820 | 920 | 1080 | 1200 | 1220 | 1240 | - |
| Налогооблагаемая прибыль | 4587,3 | 5727,3 | 8967,9 | 12833,3 | 22744,8 | 31072,9 | 38800 | 43650 | 54966,7 | 67900 | - |
| Налог на прибыль организаций | 1100,9 | 1145,5 | 1793,6 | 2566,7 | 4549 | 6214,6 | 7760 | 8730 | 10993,3 | 13580 | - |
| Чистая прибыль | 3486,3 | 4581,8 | 7174,3 | 10266,7 | 18195,9 | 24858,3 | 31040 | 34920 | 43973,3 | 54320 | - |
| Амортизационные отчисления в структуре себестоимости | 1845,5 | 2418,2 | 3214,3 | 4342,1 | 7327,6 | 9788,1 | 12000 | 14625 | 19833,3 | 26250 | - |
| Материальные затраты в структуре себестоимости | 26363,6 | 31818,2 | 40178,6 | 48245,6 | 73275,9 | 88983,1 | 100000 | 112500 | 141666,7 | 175000 | - |
| Фонд оплаты труда в структуре себестоимости | 13181,8 | 15909,1 | 20089,3 | 24122,8 | 36637,9 | 44491,5 | 50000 | 56250 | 70833,3 | 87500 | - |
| Налог на добавленную стоимость | 4745,5 | 5727,3 | 7232,1 | 8684,2 | 13189,7 | 16016,9 | 18000 | 20250 | 25500 | 31500 | - |
| Налог на доходы физических лиц | 1713,6 | 2068,2 | 2611,6 | 3136 | 4762,9 | 5783,9 | 6500 | 7312,5 | 9208,3 | 11375 | - |
| Страховые взносы | 3427,3 | 4136,4 | 5223,2 | 8201,8 | 10991,4 | 13347,5 | 15000 | 16875 | 21250,3 | 26250 | - |
| Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды (приток в бюджет) | 10546,4 | 12621,8 | 15787 | 20781,9 | 29764 | 36068,3 | 40580 | 45637,5 | 57178,3 | 70365 | 339330,2 |
| Сальдо от операционной деятельности. Чистый доход организаций (чистая прибыль и амортизационные отчисления) | 5331,8 | 7000 | 10388,6 | 14608,8 | 25523,4 | 34646,4 | 43040 | 49545 | 63806,7 | 80570 | - |
| Коэффициент дисконтирования (норма дисконта Е=0,1) | 1 | 0,909 | 0,826 | 0,751 | 0,683 | 0,621 | 0,564 | 0,513 | 0,467 | 0,424 | - |
| Сальдо от операционной деятельности с учетом дисконтирования. Чистый доход организаций с учетом дисконтирования | 5331,8 | 6363,6 | 8585,6 | 10975,8 | 17432,9 | 21512,7 | 24295 | 25424,4 | 29766,3 | 34169,5 | 183857,6 |
| Величина инвестиций из всех источников финансирования (оттоки) | 7903,837 | 8478,112 | 8267,417 | 20961,76 | 42829,41 | 31985,41 | 26216,8344 | 25460,5789 | - | - | 172103,3593 |
| Сальдо суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности без дисконтирования | -2572,1 | -1478,1 | 2121,2 | -6353 | -17306 | 2661 | 16763,6 | 24147,6 | 63806,7 | 80570 | - |
| Величина инвестиций из всех источников финансирования (оттоки) с учетом дисконтирования | 7903,8 | 7707,4 | 6832,6 | 15748,9 | 29253,1 | 19860,4 | 14832,4 | 13032,9 | - | - | 115171,4 |
| Сальдо суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования | -2572,1 | -1343,7 | 1753 | -4773,1 | -11820,2 | 1652,3 | 9462,6 | 12391,5 | 29766,3 | 34169,5 | 68686,2 |
| Сальдо накопленного суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования (нарастающим итогом) | |||||||||||
| Чистый дисконтированный доход | -2572,1 | -3915,8 | -2162,8 | -6935,9 | -18756,1 | -17103,8 | -7641,2 | 4750,3 | 34516,6 | 68686,2 | - |
| Срок окупаемости инвестиций (период возврата) (лет) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 7 лет |
| Индекс доходности (рентабельность инвестиций) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1,6 |
| Финансовая и операционная деятельность (бюджетная эффективность) | |||||||||||
| Средства федерального бюджета на научно- исследовательские и опытно-конструкторские работы, капитальные вложения и прочие нужды (отток из бюджета) | 5372,7 | 5772,01 | 5400 | 12963,38 | 25180 | 18400 | 15140,5487 | 14523,882 | - | - | 102752,5207 |
| Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды | 10546,4 | 12621,8 | 15787 | 20781,9 | 29764 | 36068,3 | 40580 | 45637,5 | 57178,3 | 70365 | 339330,2 |
| Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования | 10546,4 | 11474,4 | 13047,1 | 15613,8 | 20329,2 | 22395,6 | 22906,4 | 23419,3 | 26674,1 | 29841,6 | 196247,7 |
| Отток бюджетных средств | 5372,7 | 5772,01 | 5400 | 12963,38 | 25180 | 18400 | 15140,5487 | 14523,882 | - | - | 102752,5207 |
| Отток бюджетных средств с учетом дисконтирования | 5372,7 | 5247,3 | 4462,8 | 9739,6 | 17198,3 | 11425 | 8546,4 | 7453 | - | - | 69445,1 |
| Сальдо суммарного потока от финансирования и операционной деятельности с учетом дисконтирования | 5173,7 | 6227,1 | 8584,3 | 5874,2 | 3130,9 | 10970,6 | 14359,9 | 15966,2 | 26674,1 | 29841,6 | 126802,6 |
| Чистый дисконтированный доход государства или бюджетный эффект | 5173,7 | 11400,8 | 19985 | 25859,2 | 28990,1 | 39960,8 | 54320,7 | 70286,9 | 96961 | 126802,6 | - |
| Индекс доходности бюджетных средств | 2 | 2,2 | 2,9 | 1,6 | 1,2 | 2 | 2,7 | 3,1 | - | - | 2,8 |
| Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования | 10546,4 | 11474,4 | 13047,1 | 15613,8 | 20329,2 | 22395,6 | 22906,4 | 23419,3 | 26674,1 | 29841,6 | 196247,7 |
| Удельный вес средств федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства) | 0,68 | 0,68 | 0,65 | 0,62 | 0,59 | 0,58 | 0,58 | 0,57 | - | - | 0,6 |
| Период возврата бюджетных средств (лет) | 1 год | ||||||||||
| Уровень безубыточности | 0,79 | 0,79 | 0,76 | 0,73 | 0,7 | 0,68 | 0,66 | 0,66 | 0,66 | 0,66 | 0,68 |
Таблица 3
Итоговые показатели
эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы
| (млн. рублей) | |
|---|---|
| Наименование показателей | 2008 - 2017 годы |
| Всего инвестиций (в ценах соответствующих лет) | 172103,3593 |
| в том числе: | |
| средства федерального бюджета | 102752,5207 |
| внебюджетные средства | 69350,8386 |
| Показатели коммерческой эффективности | |
| Чистый дисконтированный доход в 2017 году | 68686,2 |
| Срок окупаемости инвестиций по чистой прибыли организации (лет) | 7 лет |
| Индекс доходности (рентабельность) инвестиций по чистой прибыли | 1,6 |
| Уровень безубыточности | 0,68 |
| Показатели бюджетной эффективности | |
| Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования | 196247,7 |
| Бюджетный эффект | 126802,6 |
| Индекс доходности (рентабельность) бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям | 2,8 |
| Удельный вес средств федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства) | 0,6 |
| Срок окупаемости бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям (лет) | 1 год |
“.
Обзор документа
ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 г. приведена в соответствие с параметрами федерального бюджета.
В частности, уточнено, что в результате реализации программы реструктуризация и техническое перевооружение будут проведены не в 112, а в 110 организациях. Центры проектирования будут созданы не в 62, а в 56 организациях. Высвободившиеся при этом объёмы финансирования перераспределены на другие приоритетные мероприятия.
Общий объем финансирования сокращен со 175,6 млрд руб. до 172,1 млрд руб.
Увеличен размер налоговых поступлений в бюджет от реализации программы.
Для просмотра актуального текста документа и получения полной информации о вступлении в силу, изменениях и порядке применения документа, воспользуйтесь поиском в Интернет-версии системы ГАРАНТ:
